參數(shù)資料
型號(hào)： APTGT100A170T
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： Phase leg Trench + Field Stop IGBT Power Module
中文描述： 相腳戴場(chǎng)站IGBT功率模塊
文件頁(yè)數(shù)： 2/5頁(yè)
文件大?。?/td> 288K
代理商： APTGT100A170T
APTGT100A170T
A
APT website – http://www.advancedpower.com
2 - 5
All ratings @ T
j
= 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol Characteristic
I
CES
Zero Gate Voltage Collector Current
Test Conditions
V
GE
= 0V, V
CE
= 1700V
V
GE
= 15V
I
C
= 100A
V
GE
= V
CE
, I
C
= 2mA
V
GE
= 20V, V
CE
= 0V
Min
5.0
Typ
2.0
2.4
5.8
Max
250
2.4
6.5
500
Unit
μA
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
V
CE(sat)
Collector Emitter Saturation Voltage
V
V
GE(th)
I
GES
Dynamic Characteristics
Symbol Characteristic
C
ies
Input Capacitance
C
oes
Output Capacitance
C
res
Reverse Transfer Capacitance
T
d(on)
Turn-on Delay Time
T
r
Rise Time
T
d(off)
Turn-off Delay Time
T
f
Fall Time
T
d(on)
Turn-on Delay Time
T
r
Rise Time
T
d(off)
Turn-off Delay Time
T
f
Fall Time
E
on
Turn-on Switching Energy
E
off
Turn-off Switching Energy
Reverse diode ratings and characteristics
Symbol Characteristic
V
RRM
Maximum Peak Repetitive Reverse Voltage
Gate Threshold Voltage
Gate – Emitter Leakage Current
V
nA
Test Conditions
V
GE
= 0V
V
CE
= 25V
f = 1MHz
Inductive Switching (25°C)
V
GE
= 15V
V
Bus
= 900V
I
C
= 100A
R
G
= 4.7
Inductive Switching (125°C)
V
GE
= 15V
V
Bus
= 900V
I
C
= 100A
R
G
= 4.7
Min
Typ
9
0.36
0.3
370
40
650
180
400
50
800
300
32
31
Max
Unit
nF
ns
ns
mJ
Test Conditions
Min
1700
Typ
100
1.8
1.9
385
490
28
46
Max
250
500
2.2
Unit
V
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
Tc = 80°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
I
RM
Maximum Reverse Leakage Current
V
R
=1700V
μA
I
F(AV)
Maximum Average Forward Current
50% duty cycle
A
V
F
Diode Forward Voltage
I
F
= 100A
V
t
rr
Reverse Recovery Time
ns
Q
rr
Reverse Recovery Charge
I
F
= 100A
V
R
= 900V
di/dt =800A/μs
μC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGT100A60T Phase leg Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT100DA120D1 Boost chopper Trench IGBT Power Module
APTGT100DA170T Boost chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT100DDA60T3 Dual Boost chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT100DH120TG Asymmetrical - Bridge Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGT100A170TG 功能描述:POWER MOD IGBT TRENCH PH LEG SP4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT100A602G 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MODULE - IGBT - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MOD IGBT 600V 150A SP2
APTGT100A60T 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Phase leg Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT100A60T1G 功能描述:IGBT PHASE LEG 600V 150A SP1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT100A60T3AG 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Phase leg Trench + Field Stop IGBT Power Module
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