參數(shù)資料
型號(hào)： APTGL475SK120D3G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, D3, 11 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/5頁(yè)
文件大?。?/td> 210K
代理商： APTGL475SK120D3G
APTGL475SK120D3G
APT
G
L
475SK120
D3G
–
Rev
0
Septem
ber
,2008
www.microsemi.com
3- 5
Thermal and package characteristics
Symbol
Characteristic
Min
Typ
Max
Unit
IGBT
0.072
RthJC
Junction to Case Thermal Resistance
Diode
0.14
°C/W
VISOL
RMS Isolation Voltage, any terminal to case t =1 min, I isol<1mA, 50/60Hz
2500
V
TJ
Operating junction temperature range
-40
175
TSTG
Storage Temperature Range
-40
125
TC
Operating Case Temperature
-40
125
°C
For terminals
M6
3
5
Torque Mounting torque
To Heatsink
M6
3
5
N.m
Wt
Package Weight
350
g
D3 Package outline (dimensions in mm)
1°
A
DTAIL A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGL475U120D4G IGBT
APTGL60TL120T3G 80 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT100A120T3AG 140 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT100A170D1 200 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT100A170D1 200 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGL475U120D4G 功能描述:IGBT4 SGL SWITCH 1200V 610A D4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGL475U120DAG 功能描述:POWER MOD IGBT4 SER DIODE SP6 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGL60A120T1G 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Phase leg Trench + Field Stop IGBT4 Power module
APTGL60DDA120T3G 功能描述:IGBT4 MODULE TRENCH 1200V SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGL60DH120T3G 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Asymmetrical - Bridge Trench + Field Stop IGBT4 Power module
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