參數(shù)資料
型號(hào)： APTGF90H60TG
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, SP4, MODULE-14
文件頁數(shù)： 6/6頁
文件大小： 288K
代理商： APTGF90H60TG
APTGF90H60TG
A
P
T
G
F
90
H
60T
G
–
R
ev
3
J
ul
y,
2006
www.microsemi.com
6 - 6
Cies
Cres
Coes
100
1000
10000
0
1020304050
C
,C
apa
c
it
anc
e
(pF)
Capacitance vs Collector to Emitter Voltage
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
0
50
100
150
200
250
0
200
400
600
800
I C
,C
o
lle
ct
o
rC
u
rre
n
t(
A
)
Reverse Bias Safe Operating Area
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.35
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Rectangular Pulse Duration (Seconds)
The
rm
a
lI
m
pe
da
nc
e
(°
C
/W
)
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
Operating Frequency vs Collector Current
Hard
switching
ZCS
ZVS
0
40
80
120
160
200
20
40
60
80
100
120
IC, Collector Current (A)
Fm
ax
,O
p
e
ra
ti
ng
Fr
eque
nc
y(
kH
z)
V
CE = 400V
D = 50%
RG = 5
T
J = 125°C
T
C = 75°C
Microsemi reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
Microsemi's products are covered by one or more of U.S patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. U.S and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
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PDF描述
APTGF90H60T 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
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APTGF90SK60D1 130 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
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