參數(shù)資料
型號(hào): APTGF90DA60T3AG
廠商: MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: 130 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝: ROHS COMPLIANT, SP3, 25 PIN
文件頁數(shù): 4/5頁
文件大?。?/td> 202K
代理商: APTGF90DA60T3AG
APTGF90DA60T3AG
APT
G
F90DA60T3AG
Rev
0
M
ay,
2009
www.microsemi.com
4 – 5
Typical Performance Curve
Output Characteristics (VGE=15V)
TJ=25°C
TJ=125°C
0
40
80
120
160
200
00.5
11.5
22.5
3
3.5
VCE (V)
I C
(A)
Output Characteristics
VGE=15V
VGE=12V
VGE=20V
VGE=9V
0
25
50
75
100
125
150
175
200
012
34
5
VCE (V)
I C
(A)
TJ = 125°C
Transfert Characteristics
TJ=25°C
TJ=125°C
0
25
50
75
100
125
150
175
200
5678
9
10
11
12
VGE (V)
I C
(A)
Energy losses vs Collector Current
Eon
Eoff
0
1
2
3
4
5
0
25
50
75 100 125 150 175 200
IC (A)
E
(
m
J
)
VCE = 300V
VGE = 15V
RG = 2.2
TJ = 125°C
Eon
Eoff
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
02
46
8
10
Gate Resistance (ohms)
E
(
m
J
)
VCE = 300V ; VGE =15V
IC = 100A ; TJ = 125°C
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
Reverse Safe Operating Area
0
50
100
150
200
250
0
100
200
300
400
500
600
VCE (V)
I C
(A)
VGE=15V
TJ=125°C
RG=2.2
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
rectangular Pulse Duration (Seconds)
The
rm
a
lI
m
pe
da
nc
e
(
°C
/W
)
IGBT
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGF90DA60T 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF90DA60T 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF90DDA60T3G 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF90H60TG 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF90SK60TG 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGF90DA60TG 功能描述:IGBT 600V 110A 416W SP4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF90DDA60T3G 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Dual Boost chopper NPT IGBT Power Module
APTGF90DH60T3G 功能描述:IGBT NPT BRIDGE 600V 110A SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF90DH60TG 功能描述:IGBT MODULE NPT ASYM BRIDGE SP4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF90DSK60T3G 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Dual Buck chopper NPT IGBT Power Module