型號: | APTGF90DA60D1 |
廠商: | Advanced Power Technology Ltd. |
英文描述: | Boost Chopper NPT IGBT Power Module |
中文描述: | 升壓斬波不擴散核武器條約IGBT功率模塊 |
文件頁數(shù): | 2/3頁 |
文件大?。?/td> | 138K |
代理商: | APTGF90DA60D1 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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APTGF90DA60D1G | 功能描述:IGBT 600V 130A 445W D1 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
APTGF90DA60T1G | 功能描述:IGBT 600V 110A 416W SP1 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
APTGF90DA60T3AG | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Boost chopper NPT IGBT Power Module Power Module |
APTGF90DA60TG | 功能描述:IGBT 600V 110A 416W SP4 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
APTGF90DDA60T3G | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Dual Boost chopper NPT IGBT Power Module |