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參數(shù)資料
| 型號： | APTGF90DA60CT1G |
| 廠商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, SP1, 12 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 5/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 212K |
| 代理商： | APTGF90DA60CT1G |
APTGF90DA60CT1G
APT
G
F90DA60CT
1G
–
Rev
0
Septem
ber
,2009
www.microsemi.com
5 – 5
Typical SiC chopper diode Performance Curve
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Rectangular Pulse Duration (Seconds)
The
rma
lImpeda
nc
e
(
°C
/W)
Forward Characteristics
TJ=25°C
TJ=75°C
TJ=125°C
TJ=175°C
0
20
40
60
80
00.5
11.5
22.5
33.5
VF Forward Voltage (V)
I F
Forwar
d
Curr
ent
(A)
Reverse Characteristics
TJ=25°C
TJ=75°C
TJ=125°C
TJ=175°C
0
100
200
300
400
500
600
700
800
200
300
400
500
600
700
800
VR Reverse Voltage (V)
I R
R
eve
rse
Cu
rr
en
t(
A)
Capacitance vs.Reverse Voltage
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1
10
100
1000
VR Reverse Voltage
C,
Ca
pac
ita
nc
e
(pF)
Microsemi reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
Microsemi's products are covered by one or more of U.S patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522 5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103
5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 6,939,743 7,352,045 5,283,201 5,801,417 5,648,283 7,196,634 6,664,594 7,157,886 6,939,743 7,342,262
and foreign patents. U.S and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGF90DA60T1G | 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF90DH60T3G | 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF90DSK60T3G | 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF90H60TG | 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF90H60T | 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APTGF90DA60D1 | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Boost Chopper NPT IGBT Power Module |
| APTGF90DA60D1G | 功能描述:IGBT 600V 130A 445W D1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
| APTGF90DA60T1G | 功能描述:IGBT 600V 110A 416W SP1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
| APTGF90DA60T3AG | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Boost chopper NPT IGBT Power Module Power Module |
| APTGF90DA60TG | 功能描述:IGBT 600V 110A 416W SP4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
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