參數(shù)資料
型號(hào): APTGF75H120TG
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝: ROHS COMPLIANT, MODULE-14
文件頁(yè)數(shù): 5/5頁(yè)
文件大小: 282K
代理商: APTGF75H120TG
APTGF75H120TG
A
P
T
G
F
75
H
120T
G
R
ev
1
J
anua
ry,
2006
APT website – http://www.advancedpower.com
5 - 5
Forward Characteristic of diode
TJ=25°C
TJ=125°C
0
25
50
75
100
125
00.511.522.5
3
VF (V)
I C
(A
)
hard
switching
ZCS
ZVS
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0
20406080
100
IC (A)
F
m
ax,
O
p
er
at
in
g
F
req
u
e
n
cy
(
kH
z)
VCE=600V
D=50%
RG=7.5
TJ=125°C
TC=75°C
Operating Frequency vs Collector Current
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
rectangular Pulse Duration (Seconds)
Th
e
rm
a
lI
m
pe
d
a
nc
e(
°C
/W
)
Diode
APT reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
APT's products are covered by one or more of U.S patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. U.S and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
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