參數(shù)資料
型號(hào)： APTGF75DH120T3G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, SP3, 25 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/5頁(yè)
文件大?。?/td> 200K
代理商： APTGF75DH120T3G
APTGF75DH120T3G
APT
G
F75DH120T
3G
–
Rev
0
Ap
ril,
2009
www.microsemi.com
2- 5
All ratings @ Tj = 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Tj = 25°C
250
ICES
Zero Gate Voltage Collector Current
VGE = 0V
VCE = 1200V
Tj = 125°C
500
A
Tj = 25°C
3.2
3.7
VCE(sat)
Collector Emitter saturation Voltage
VGE =15V
IC = 75A
Tj = 125°C
3.9
V
VGE(th)
Gate Threshold Voltage
VGE = VCE, IC = 2.5 mA
4.5
6.5
V
IGES
Gate – Emitter Leakage Current
VGE = ±20V, VCE = 0V
±500
nA
Dynamic Characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Cies
Input Capacitance
5.1
Coes
Output Capacitance
0.7
Cres
Reverse Transfer Capacitance
VGE = 0V
VCE = 25V
f = 1MHz
0.4
nF
QG
Gate charge
VGE=±15V, IC=75A
VCE=600V
0.8
C
Td(on)
Turn-on Delay Time
120
Tr
Rise Time
50
Td(off)
Turn-off Delay Time
310
Tf
Fall Time
Inductive Switching (25°C)
VGE = 15V
VBus = 600V
IC = 75A
RG = 7.5Ω
20
ns
Td(on)
Turn-on Delay Time
130
Tr
Rise Time
60
Td(off)
Turn-off Delay Time
360
Tf
Fall Time
Inductive Switching (125°C)
VGE = 15V
VBus = 600V
IC = 75A
RG = 7.5Ω
30
ns
Eon
Turn-on Switching Energy
Tj = 125°C
9
Eoff
Turn-off Switching Energy
VGE = ±15V
VBus = 600V
IC = 75A
RG = 7.5Ω
Tj = 125°C
4
mJ
Isc
Short Circuit data
VGE ≤15V ; VBus = 900V
tp ≤ 10s ; Tj = 125°C
450
A
Diode ratings and characteristics (CR2 & CR3)
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VRRM
Maximum Peak Repetitive Reverse Voltage
1200
V
Tj = 25°C
100
IRM
Maximum Reverse Leakage Current
VR=1200V
Tj = 125°C
500
A
IF
DC Forward Current
Tc = 80°C
60
A
IF = 60A
2.5
3
IF = 120A
3
VF
Diode Forward Voltage
IF = 60A
Tj = 125°C
1.8
V
Tj = 25°C
265
trr
Reverse Recovery Time
Tj = 125°C
350
ns
Tj = 25°C
560
Qrr
Reverse Recovery Charge
IF = 60A
VR = 800V
di/dt =200A/s
Tj = 125°C
2890
nC
CR1 & CR4 are IGBT protection diodes only
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGF75H120TG 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF90DA60CT1G 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF90DA60T1G 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF90DH60T3G 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF90DSK60T3G 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGF75DH120TG 功能描述:IGBT MODULE NPT ASYM BRIDGE SP4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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