參數(shù)資料
型號(hào)： APTGF660U60D4
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： Single switch NPT IGBT Power Module
中文描述： 單開關(guān)不擴(kuò)散核武器條約IGBT功率模塊
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大?。?/td> 209K
代理商： APTGF660U60D4
APTGF660U60D4
A
APT website – http://www.advancedpower.com
2 - 3
All ratings @ T
j
= 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
1
1
500
2.45
6.5
400
μA
mA
I
CES
Zero Gate Voltage Collector Current
V
GE
= 0V
V
CE
= 600V
V
GE
= 15V
I
C
= 660A
V
GE
= V
CE
, I
C
= 6mA
V
GE
= 20V, V
CE
= 0V
1.95
2.2
5.5
V
CE(on)
Collector Emitter on Voltage
V
V
GE(th)
I
GES
Dynamic Characteristics
Symbol Characteristic
C
ies
Input Capacitance
C
res
Reverse Transfer Capacitance
T
d(on)
Turn-on Delay Time
T
r
Rise Time
T
d(off)
Turn-off Delay Time
T
f
Fall Time
T
d(on)
Turn-on Delay Time
T
r
Rise Time
T
d(off)
Turn-off Delay Time
T
f
Fall Time
E
on
Turn on Energy
E
off
Turn off Energy
Reverse diode ratings and characteristics
Symbol Characteristic
Gate Threshold Voltage
Gate – Emitter Leakage Current
4.5
V
nA
Test Conditions
V
GE
= 0V, V
CE
= 25V
f = 1MHz
Inductive Switching (25°C)
V
GE
= ±15V
V
Bus
= 300V
I
C
= 800A
R
G
= 4.7
Inductive Switching (125°C)
V
GE
= ±15V
V
Bus
= 300V
I
C
= 800A
R
G
= 4.7
Min
Typ
36
3.2
210
86
Max
Unit
nF
420
83
250
93
450
95
18
25
ns
ns
mJ
Test Conditions
I
F
= 800A
V
GE
= 0V
I
F
= 800A
V
R
= 300V
di/dt =4000A/μs
Min
Typ
1.25
1.2
52
Max
1.6
Unit
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
V
F
Diode Forward Voltage
V
Q
rr
Reverse Recovery Charge
T
j
= 125°C
87
μC
Thermal and package characteristics
Symbol Characteristic
Min
2500
-40
-40
-40
3
1
Typ
Max
0.045
0.085
150
125
125
5
2
420
Unit
IGBT
Diode
R
thJC
Junction to Case
°C/W
V
ISOL
T
J
T
STG
T
C
RMS Isolation Voltage, any terminal to case t =1 min, I isol<1mA, 50/60Hz
Operating junction temperature range
Storage Temperature Range
Operating Case Temperature
V
°C
M6
M4
Torque Mounting torque
N.m
Wt
Package Weight
g
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGF75DA60D1 Boost Chopper NPT IGBT Power Module
APTGF75DDA120T Dual Boost Chopper NPT IGBT Power Module
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APTGF75DSK120T Dual Buck chopper NPT IGBT Power Module
APTGF75H120TG Full - Bridge NPT IGBT Power Module
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參數(shù)描述
APTGF660U60D4G 功能描述:IGBT 600V 860A 2800W D4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF75DA120T1G 功能描述:IGBT 1200V 100A 500W SP1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF75DA60D1 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Boost Chopper NPT IGBT Power Module
APTGF75DA60D1G 功能描述:IGBT 600V 100A 355W D1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF75DDA120T 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Dual Boost Chopper NPT IGBT Power Module
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