參數(shù)資料
型號(hào): APTGF50X60P2
廠商: Advanced Power Technology Ltd.
英文描述: 3 Phase bridge NPT IGBT Power Module
中文描述: 3相橋不擴(kuò)散核武器條約IGBT功率模塊
文件頁(yè)數(shù): 3/4頁(yè)
文件大?。?/td> 192K
代理商: APTGF50X60P2
APTGF50X60E2
APTGF50X60P2
A
APT website – http://www.advancedpower.com
3 - 4
Package outline
Pin out: APTGF50X60E2
(Long pins)
ALL DIMENSIONS MARKED " * " ARE TOLERENCED AS :
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PDF描述
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參數(shù)描述
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APTGF50X60RTP3G 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR
APTGF50X60T3G 功能描述:IGBT MODULE NPT 3PH BRIDGE SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開(kāi)):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF530U120D4G 功能描述:IGBT 1200V 700A 3900W D4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開(kāi)):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B