參數資料
型號： APTGF50H60T3G
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： Full - Bridge NPT IGBT Power Module
中文描述： 全-橋不擴散核武器條約IGBT功率模塊
文件頁數： 4/6頁
文件大?。?/td> 328K
代理商： APTGF50H60T3G
APTGF50H60T3G
A
APT website – http://www.advancedpower.com
4 - 6
Typical Performance Curve
Output characteristics (V
GE
=15V)
T
J
=-55°C
T
J
=25°C
T
J
=125°C
0
50
100
150
0
1
2
3
4
I
V
CE
, Collector to Emitter Voltage (V)
250μs Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Transfer Characteristics
T
J
=-55°C
T
J
=25°C
T
J
=125°C
0
25
50
75
100
125
150
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
GE
, Gate to Emitter Voltage (V)
I
250μs Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Ic=100A
Ic=50A
0
1
2
3
4
5
6
7
8
6
8
10
12
14
16
V
GE
, Gate to Emitter Voltage (V)
C
, On state Voltage vs Gate to Emitter Volt.
T
J
= 25°C
250μs Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Ic=100A
Ic=50A
Ic=25A
0
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
-50
-25
T
J
, Junction Temperature (°C)
0
25
50
75
100
125
V
C
, 0.5
250μs Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
V
GE
= 15V
0.70
0.80
0.90
1.00
1.10
1.20
-50
-25
0
25
50
75
100
125
T
J
, Junction Temperature (°C)
C
V
Breakdown Voltage vs Junction Temp.
0
10
20
30
40
50
60
70
80
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
T
C
, Case Temperature (°C)
I
DC Collector Current vs Case Temperature
Gate Charge
V
CE
=120V
V
CE
=300V
V
CE
=480V
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
0
25
50
75
100
125
150
175
200
Gate Charge (nC)
V
G
,
I
C
= 50A
T
J
= 25°C
Output Characteristics (V
GE
=10V)
T
J
=-55°C
T
J
=25°C
T
J
=125°C
0
50
100
150
0
1
2
3
4
I
V
CE
, Collector to Emitter Voltage (V)
250μs Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
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PDF描述
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APTGF50X120P2 3 Phase bridge NPT IGBT Power Module
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