參數(shù)資料
型號(hào)： APTGF50H120TG
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類(lèi)： IGBT 晶體管
英文描述： 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, SP4, MODULE-14
文件頁(yè)數(shù)： 5/6頁(yè)
文件大?。?/td> 288K
代理商： APTGF50H120TG
APTGF50H120TG
A
P
T
G
F
50
H
120T
G
–
R
ev
3
J
ul
y,
2006
www.microsemi.com
5 - 6
V
GE = 15V
25
30
35
40
45
0
255075
100
125
ICE, Collector to Emitter Current (A)
td
(o
n
),
Tur
n-
O
n
D
e
la
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m
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n
s
)
Turn-On Delay Time vs Collector Current
V
CE = 600V
R
G = 5
V
GE=15V,
T
J=25°C
V
GE=15V,
T
J=125°C
200
250
300
350
400
025
50
75
100
125
ICE, Collector to Emitter Current (A)
Turn-Off Delay Time vs Collector Current
td
(o
ff
),
T
u
rn
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ff
D
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ay
T
im
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(
n
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VCE = 600V
R
G = 5
V
GE=15V
20
60
100
140
180
0
25
50
75
100
125
ICE, Collector to Emitter Current (A)
tr
,R
is
eT
ime
(n
s)
Current Rise Time vs Collector Current
V
CE = 600V
R
G = 5
T
J = 25°C
T
J = 125°C
20
30
40
50
0
255075
100
125
ICE, Collector to Emitter Current (A)
tf
,
F
all
T
ime
(
n
s)
Current Fall Time vs Collector Current
VCE = 600V, VGE = 15V, RG = 5
TJ=25°C,
V
GE =15V
T
J=125°C,
V
GE=15V
0
4
8
12
16
20
24
28
025
50
75
100
125
ICE, Collector to Emitter Current (A)
Turn-On Energy Loss vs Collector Current
E
on,
Tur
n-
O
n
E
n
er
g
yLos
s
(m
J
)
V
CE = 600V
R
G = 5
TJ = 25°C
T
J = 125°C
0
2
4
6
8
0
255075
100
125
ICE, Collector to Emitter Current (A)
E
o
ff
,Tur
n-
of
fE
n
e
rgy
Los
s(
m
J)
Turn-Off Energy Loss vs Collector Current
V
CE = 600V
V
GE = 15V
RG = 5
Eon, 50A
Eoff, 50A
Eon, 25A
Eoff, 25A
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
0
10
203040
50
Gate Resistance (Ohms)
S
w
it
c
h
in
g
E
n
er
g
y
L
o
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s(m
J)
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
V
CE = 600V
V
GE = 15V
T
J= 125°C
Eon, 50A
Eoff, 50A
Eon, 25A
Eoff, 25A
0
2
4
6
8
0
255075
100
125
TJ, Junction Temperature (°C)
S
w
it
ch
in
g
E
n
e
rg
y
L
o
s
ses
(
m
J)
Switching Energy Losses vs Junction Temp.
V
CE = 600V
V
GE = 15V
R
G = 5
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGF50VDA120T3G 70 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT150DA120D1G 220 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT200DA60T 290 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT200DA60T 290 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT300DA120D3G 440 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGF50H60T1G 功能描述:IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP1 RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF50H60T2G 功能描述:POWER MOD IGBT NPT FULL BRDG SP2 RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF50H60T3G 功能描述:POWER MODULE IGBT 600V 50A SP3 RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF50SK120T 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Buck chopper NPT IGBT Power Module
APTGF50SK120T1G 功能描述:IGBT 1200V 75A 312W SP1 RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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