參數(shù)資料
型號(hào)： APTGF50DH120T
元件分類(lèi)： IGBT 晶體管
英文描述： 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-14
文件頁(yè)數(shù)： 1/6頁(yè)
文件大?。?/td> 296K
代理商： APTGF50DH120T
APTGF50DH120T
A
PT
G
F50D
H
120T
–
R
ev1
M
ar
ch,
2004
APT website – http://www.advancedpower.com
1- 6
Application
Welding converters
Switched Mode Power Supplies
Switched Reluctance Motor Drives
Features
Non Punch Through (NPT) FAST IGBT
-
Low voltage drop
-
Low tail current
-
Switching frequency up to 50 kHz
-
Soft recovery parallel diodes
-
Low diode VF
-
Low leakage current
-
Avalanche energy rated
-
RBSOA and SCSOA rated
Kelvin emitter for easy drive
Very low stray inductance
-
Symmetrical design
-
Lead frames for power connections
Internal thermistor for temperature monitoring
High level of integration
Benefits
Outstanding performance at high frequency
operation
Stable temperature behavior
Very rugged
Direct mounting to heatsink (isolated package)
Low junction to case thermal resistance
Solderable terminals both for power and signal for
easy PCB mounting
Easy paralleling due to positive TC of VCEsat
Low profile
Absolute maximum ratings
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed.
VBUS
Q4
OUT2
OUT1
VBUS SENSE
CR3
0/VBU S
G4
E4
NTC2
Q1
CR2
0/VBU S SENSE
NTC1
G1
E1
NTC2
OUT1
OUT2
VBUS
SENSE
E1
NTC1
E4
G4
0/VBUS
SENSE
G1
Symbol
Parameter
Max ratings
Unit
VCES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
1200
V
Tc = 25°C
75
IC
Continuous Collector Current
Tc = 80°C
50
ICM
Pulsed Collector Current
Tc = 25°C
150
A
VGE
Gate – Emitter Voltage
±20
V
PD
Maximum Power Dissipation
Tc = 25°C
312
W
RBSOA Reverse Bias Safe Operating Area
Tj = 150°C
150A @ 1200V
VCES = 1200V
IC = 50A @ Tc = 80°C
Asymmetrical - Bridge
NPT IGBT Power Module
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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APTGF50DH60T 65 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
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APTGF50DU120T 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
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參數(shù)描述
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APTGF50DH120TG 功能描述:IGBT MODULE NPT ASYM BRIDGE SP4 RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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