參數(shù)資料
型號： APTGF50DDA60T3G
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 65 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, MODULE-25
文件頁數(shù)： 6/6頁
文件大?。?/td> 317K
代理商： APTGF50DDA60T3G
APTGF50DDA60T3G
A
P
T
G
F
50
D
A
60T
3G
–
R
ev
1
N
ove
m
be
r,
2005
APT website – http://www.advancedpower.com
6 - 6
Cies
Cres
Coes
100
1000
10000
0
1020304050
C
,C
a
pa
ci
ta
nc
e
(pF)
Capacitance vs Collector to Emitter Voltage
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Rectangular Pulse Duration (Seconds)
The
rm
al
Im
pe
d
anc
e
(
°C
/W
)
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
Operating Frequency vs Collector Current
hard
switching
ZCS
ZVS
0
40
80
120
160
200
240
0
20406080
100
IC, Collector Current (A)
F
max
,Op
er
at
in
g
F
req
u
e
n
cy
(k
H
z)
VCE = 400V
D = 50%
RG = 2.7
TJ = 125°C
TC= 75°C
APT reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
APT's products are covered by one or more of U.S patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. U.S and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
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