參數(shù)資料
型號： APTGF50A60T1G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 65 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, SP1, 12 PIN
文件頁數(shù)： 1/6頁
文件大?。?/td> 312K
代理商： APTGF50A60T1G
Advanced Power
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Electronics Corp.
POWER MOSFET
▼ Simple Drive Requirement
BVDSS
80V
▼ Lower On-resistance
RDS(ON)
13mΩ
▼ Fast Switching Characteristic
ID
75A
Description
Absolute Maximum Ratings
Symbol
Units
VDS
V
VGS
V
ID@TC=25℃
A
ID@TC=100℃
A
IDM
A
PD@TC=25℃
W
W/℃
EAS
Single Pulse Avalanche Energy
3
mJ
IAR
Avalanche Current
A
TSTG
℃
TJ
℃
Symbol
Value
Units
Rthj-c
Thermal Resistance Junction-case
Max.
0.9
℃
/W
Rthj-a
Thermal Resistance Junction-ambient
Max.
62
℃
/W
Data and specifications subject to change without notice
Thermal Data
Parameter
Storage Temperature Range
Total Power Dissipation
138
-55 to 150
Operating Junction Temperature Range
-55 to 150
Linear Derating Factor
1.11
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
48
Pulsed Drain Current
1
260
Gate-Source Voltage
±20
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
75
Parameter
Rating
Drain-Source Voltage
80
200912072-1/4
AP85T08GS/P
RoHS-compliant Product
450
30
G
D
S
The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with
the best combination of fast switching, ruggedized device design, low
on-resistance and cost-effectiveness.
The TO-263 package is universally preferred for all commercial-
industrial surface mount applications and suited for low voltage
applications such as DC/DC converters. The through-hole version
(AP85T08GP) are available for low-profile applications.
G D
S
TO-263(S)
G
D
S
TO-220(P)
相關PDF資料
PDF描述
APTGF50DA120CT1G 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF50DA120T 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF50DA120T 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF50DDA60T3 65 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF50DDA60T3 65 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
APTGF50DA120CT1G 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MODULE - SIC - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MOSFET TRANSISTOR
APTGF50DA120T1G 功能描述:IGBT 1200V 75A 312W SP1 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B
APTGF50DA120TG 功能描述:IGBT 1200V 75A 312W SP4 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B
APTGF50DDA120T3G 功能描述:IGBT MOD NPT 1200V 50A SP3 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B
APTGF50DDA60T3G 功能描述:IGBT MODULE NPT BOOST CHOP SP3 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*