參數(shù)資料
型號(hào)： APTGF350DU60
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： Dual common source NPT IGBT Power Module
中文描述： 雙共源不擴(kuò)散核武器條約IGBT功率模塊
文件頁(yè)數(shù)： 3/6頁(yè)
文件大?。?/td> 298K
代理商： APTGF350DU60
APTGF350DU60
A
APT website – http://www.advancedpower.com
3 - 6
Thermal and package characteristics
Symbol Characteristic
Min
Typ
Max
0.08
0.16
Unit
IGBT
Diode
R
thJC
Junction to Case
°C/W
V
ISOL
RMS Isolation Voltage, any terminal to case t =1 min,
I isol<1mA, 50/60Hz
Operating junction temperature range
Storage Temperature Range
Operating Case Temperature
2500
V
T
J
T
STG
T
C
-40
-40
-40
3
2
150
125
100
5
3.5
280
°C
To heatsink
For terminals
M6
M5
Torque Mounting torque
N.m
Wt
Package Weight
g
Package outline
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGF50A120T Phase leg NPT IGBT Power Module
APTGF50DH120T Asymmetrical - Bridge NPT IGBT Power Module
APTGF50SK120T Buck chopper NPT IGBT Power Module
APTGF50X120E3 3 Phase bridge NPT IGBT Power Module
APTGF50X60E2 3 Phase bridge NPT IGBT Power Module
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGF350DU60G 功能描述:IGBT MODULE NPT DUAL SP6 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF350SK60 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Buck chopper NPT IGBT Power Module
APTGF350SK60G 功能描述:IGBT 600V 430A 1562W SP6 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF360U60D4 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Single switch NPT IGBT Power Module
APTGF360U60D4G 功能描述:IGBT 600V 450A 1560W D4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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