參數(shù)資料
型號(hào)： APTGF330A60D3
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： Phase leg NPT IGBT Power Module
中文描述： 腿不擴(kuò)散核武器條約相IGBT功率模塊
文件頁(yè)數(shù)： 2/3頁(yè)
文件大?。?/td> 146K
代理商： APTGF330A60D3
APTGF330A60D3
A
APT website – http://www.advancedpower.com
2 - 3
Electrical Characteristics
Symbol Characteristic
BV
CES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
All ratings @ T
j
= 25°C unless otherwise specified
Test Conditions
V
GE
= 0V, I
C
= 10 mA
T
j
= 25°C
Zero Gate Voltage Collector Current
V
CE
= 600V
V
GE
= 15V
I
C
= 400A
Gate Threshold Voltage
V
GE
= V
CE
, I
C
= 8 mA
Gate – Emitter Leakage Current
V
GE
= 20V, V
CE
= 0V
Min
600
4.5
Typ
2
1.5
2.0
2.2
Max
750
2.5
6.5
600
Unit
V
μA
mA
I
CES
V
GE
= 0V
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
V
CE(on)
Collector Emitter on Voltage
V
V
GE(th)
I
GES
Dynamic Characteristics
Symbol Characteristic
C
ies
Input Capacitance
C
res
Reverse Transfer Capacitance
T
d(on)
Turn-on Delay Time
T
r
Rise Time
T
d(off)
Turn-off Delay Time
T
f
Fall Time
T
d(on)
Turn-on Delay Time
T
r
Rise Time
T
d(off)
Turn-off Delay Time
T
f
Fall Time
E
off
Turn off energy
Reverse diode ratings and characteristics
Symbol Characteristic
V
nA
Test Conditions
V
GE
= 0V, V
CE
= 25V
f = 1MHz
Inductive Switching (25°C)
V
GE
= ±15V
V
Bus
= 300V
I
C
= 400A
R
G
= 0.82
Inductive Switching (125°C)
V
GE
= ±15V
V
Bus
= 300V
I
C
= 400A
R
G
= 0.82
Min
Typ
18
1.6
165
40
250
35
180
50
285
40
13
Max
Unit
nF
ns
ns
mJ
Test Conditions
I
F
= 400A
V
GE
= 0V
I
F
= 400A
V
R
= 300V
di/dt =900A/μs
I
F
= 400A
V
= 300V
di/dt =900A/μs T
j
= 125°C
Min
Typ
1.25
1.2
Max
1.6
Unit
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
V
F
Diode Forward Voltage
V
E
r
Reverse Recovery Energy
T
j
= 125°C
8.2
mJ
T
j
= 25°C
24
Q
rr
Reverse Recovery Charge
40
μC
Thermal and package characteristics
Symbol Characteristic
Min
Typ
Max
0.089
0.15
Unit
IGBT
Diode
R
thJC
Junction to Case
°C/W
V
ISOL
RMS Isolation Voltage, any terminal to case t =1 min,
I isol<1mA, 50/60Hz
Operating junction temperature range
Storage Temperature Range
Operating Case Temperature
2500
V
T
J
T
STG
T
C
-40
-40
-40
3
3
150
125
125
5
5
380
°C
For terminals
To Heatsink
M6
M6
Torque Mounting torque
N.m
Wt
Package Weight
g
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGF330SK60D3 Buck chopper NPT IGBT Power Module
APTGF350SK60 Buck chopper NPT IGBT Power Module
APTGF360U60D4 Single switch NPT IGBT Power Module
APTGF500U60D4 Single switch NPT IGBT Power Module
APTGF50DDA60T3G Dual Boost Chopper NPT IGBT Power Module
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGF330A60D3G 功能描述:IGBT NPT PHASE 600V 520A D3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF330DA60D3G 功能描述:IGBT 600V 460A 1400W D3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF330SK60D3 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Buck chopper NPT IGBT Power Module
APTGF330SK60D3G 功能描述:IGBT 600V 460A 1400W D3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF350A60 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*