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參數(shù)資料
| 型號： | APTGF30X60E2 |
| 廠商： | Advanced Power Technology Ltd. |
| 英文描述： | 3 Phase bridge NPT IGBT Power Module |
| 中文描述： | 3相橋不擴散核武器條約IGBT功率模塊 |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 185K |
| 代理商： | APTGF30X60E2 |
APTGF30X60E2
APTGF30X60P2
A
APT website – http://www.advancedpower.com
3 - 4
Package outline
Pin out: APTGF30X60E2
(Long pins)
ALL DIMENSIONS MARKED " * " ARE TOLERENCED AS :
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGF30X60P2 | 3 Phase bridge NPT IGBT Power Module |
| APTGF330A60D3 | Phase leg NPT IGBT Power Module |
| APTGF330SK60D3 | Buck chopper NPT IGBT Power Module |
| APTGF350SK60 | Buck chopper NPT IGBT Power Module |
| APTGF360U60D4 | Single switch NPT IGBT Power Module |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APTGF30X60E2G | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
| APTGF30X60P2 | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:3 Phase bridge NPT IGBT Power Module |
| APTGF30X60P2G | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
| APTGF30X60RTP2G | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
| APTGF30X60T3G | 功能描述:IGBT MODULE NPT 2PH BRIDGE SP3 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設(shè)備封裝:SOT-227B |
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