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參數(shù)資料
| 型號： | APTGF300SK120 |
| 廠商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 400 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | MODULE-5 |
| 文件頁數(shù)： | 2/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 302K |
| 代理商： | APTGF300SK120 |
APTGF300SK120
A
PT
G
F3
00
SK
12
0
–
R
ev
1
M
ar
ch
,2
00
4
APT website – http://www.advancedpower.com
2 - 5
All ratings @ Tj = 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max Unit
BVCES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
VGE = 0V, IC = 4mA
1200
V
Tj = 25°C
0.4
6
ICES
Zero Gate Voltage Collector Current
VGE = 0V
VCE = 1200V
Tj = 125°C
25
mA
Tj = 25°C
3.3
3.9
VCE(on) Collector Emitter on Voltage
VGE =15V
IC = 300A
Tj = 125°C
4
V
VGE(th)
Gate Threshold Voltage
VGE = VCE, IC = 12mA
4.5
6.5
V
IGES
Gate – Emitter Leakage Current
VGE = ±20V, VCE = 0V
±1
A
Dynamic Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max Unit
Cies
Input Capacitance
21
Coes
Output Capacitance
2.9
Cres
Reverse Transfer Capacitance
VGE = 0V
VCE = 25V
f = 1MHz
1.52
nF
Td(on)
Turn-on Delay Time
70
Tr
Rise Time
50
Td(off)
Turn-off Delay Time
500
Tf
Fall Time
30
ns
Eon
Turn-on Switching Energy
17
Eoff
Turn-off Switching Energy
Inductive Switching (125°C)
VGE = 15V
VBus = 600V
IC = 300A
RG = 2
18
mJ
Reverse diode ratings and characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max Unit
IF(AV)
Maximum Average Forward Current
50% duty cycle
Tc = 70°C
400
A
IF = 400A
2.0
2.5
IF = 800A
2.3
VF
Diode Forward Voltage
IF = 400A
Tj = 125°C
1.8
V
Tj = 25°C
420
trr
Reverse Recovery Time
IF = 400A
VR = 800V
di/dt =800A/s Tj = 125°C
580
ns
Tj = 25°C
5
Qrr
Reverse Recovery Charge
IF = 400A
VR = 800V
di/dt =800A/s Tj = 125°C
21.4
C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGF300SK120 | 400 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF300U120D | 400 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF300U120D | 400 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF30H60T3G | 42 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF30H60T3 | 42 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APTGF300SK120D3G | 功能描述:IGBT 1200V 420A 2100W D3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
| APTGF300SK120G | 功能描述:IGBT 1200V 400A 1780W SP6 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
| APTGF300U120D | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Single Switch with Series diodes NPT IGBT Power Module |
| APTGF300U120DG | 功能描述:IGBT 1200V 400A 1780W SP6 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
| APTGF300U60AG | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
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