參數(shù)資料
型號(hào)： APTGF300DU120
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 400 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-7
文件頁(yè)數(shù)： 4/5頁(yè)
文件大?。?/td> 301K
代理商： APTGF300DU120
APTGF300DU120
A
PT
G
F3
00
D
U
12
0
–
R
ev
1
M
ar
ch
,2
00
4
APT website – http://www.advancedpower.com
4 - 5
Typical Performance Curve
Output characteristics (VGE=15V)
TJ=25°C
TJ=125°C
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
0
1
2
3
4
Ic
,C
ol
le
ct
or
cu
rr
en
t(
A
)
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Output characteristics (VGE=10V)
TJ=25°C
TJ=125°C
0
50
100
150
200
250
300
350
0
1
2
3
4
Ic
,C
ol
le
ct
or
cu
rr
en
t(
A
)
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Transfer Characteristics
0
100
200
300
400
500
600
4
6
8
10
12
VGE, Gate to Emitter Voltage (V)
Ic
,C
ol
le
ct
or
C
ur
re
nt
(A
)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Gate Charge
VCE=600V
VCE=800V
0
4
8
12
16
20
0
500
1000
1500
2000
2500
Gate Charge (nC)
V
G
E,
G
at
e
to
E
m
itt
er
V
ol
ta
ge
(V
)
IC = 300A
TJ = 25°C
0
50
100
150
200
250
300
350
400
0
25
50
75
100
125
150
TC, Case Temperature (°C)
Ic
,D
C
ol
le
ct
or
C
ur
re
nt
(A
)
DC Collector Current vs Case Temperature
tdoff
tdon
tr
tf
10
100
1000
0
100
200
300
400
Ic, Collector current (A)
tim
e
(n
s)
Switching times vs collector current
VCE = 600V
VGE=±15V
RG=2
TJ = 125°C
Cres
Coes
Cies
1
10
100
0
10
20
30
C
,C
ap
ac
ita
nc
e
(n
F)
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
Capacitance vs Collector to Emitter Voltage
Eon
Eoff
0
20
40
60
80
100
120
0
2
4
6
8
10 12 14 16
Gate resistance (Ohms)
S
w
itc
hi
ng
E
ne
rg
y
lo
ss
es
(m
J)
Switching energy losses vs Gate resistance
VCE = 600V
VGE=±15V
IC=300A
TJ = 125°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGF300SK120D3G IGBT
APTGF300SK120G 400 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF300SK120 400 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF300SK120 400 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF300U120D 400 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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APTGF300SK120G 功能描述:IGBT 1200V 400A 1780W SP6 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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