參數(shù)資料
型號(hào)： APTGF200A120D3G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 300 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, D3, 11 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/5頁(yè)
文件大?。?/td> 212K
代理商： APTGF200A120D3G
APTGF200A120D3G
APT
G
F200A120D3G
–
Rev
0
Septem
ber
,2008
www.microsemi.com
1- 5
Absolute maximum ratings
Symbol
Parameter
Max ratings
Unit
VCES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
1200
V
TC = 25°C
300
IC
Continuous Collector Current
TC = 80°C
200
ICM
Pulsed Collector Current
TC = 25°C
400
A
VGE
Gate – Emitter Voltage
±20
V
PD
Maximum Power Dissipation
TC = 25°C
1400
W
RBSOA Reverse Bias Safe Operating Area
Tj = 125°C
400A@1150V
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed. See application note
APT0502 on www.microsemi.com
2
1
3
5
Q2
7
6
Q1
4
VCES = 1200V
IC = 200A @ Tc = 80°C
Application
Welding converters
Switched Mode Power Supplies
Uninterruptible Power Supplies
Motor control
Features
Non Punch Through (NPT) FAST IGBT
- Low voltage drop
- Low tail current
- Switching frequency up to 50 kHz
- Soft recovery parallel diodes
- Low diode VF
- Low leakage current
- RBSOA and SCSOA rated
Kelvin emitter for easy drive
High level of integration
M6 power connectors
Benefits
Stable temperature behavior
Very rugged
Direct mounting to heatsink (isolated package)
Low junction to case thermal resistance
Easy paralleling due to positive TC of VCEsat
RoHS Compliant
Phase leg
NPT IGBT Power Module
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGF200U60D4 250 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF200U60D4 250 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF200U60D4G 250 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF20X60E2 32 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF20X60P2 32 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGF200DA120D3G 功能描述:IGBT 1200V 300A 1400W D3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF200SK120D3G 功能描述:IGBT 1200V 300A 1400W D3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF200U120D 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Single Switch with Series diodes NPT IGBT Power Module
APTGF200U120DG 功能描述:IGBT 1200V 275A 1136W SP6 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF200U120T1G 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR
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