參數(shù)資料
型號(hào)： APTGF180SK60TG
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 220 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, SP4, MODULE-12
文件頁(yè)數(shù)： 4/6頁(yè)
文件大?。?/td> 287K
代理商： APTGF180SK60TG
APTGF180SK60TG
A
P
T
G
F
180S
K
60T
G
–
R
ev
2
J
ul
y,
2006
www.microsemi.com
4 - 6
Typical Performance Curve
Output characteristics (VGE=15V)
T
J=-55°C
T
J=25°C
T
J=125°C
0
100
200
300
400
500
600
012
34
Ic
,C
o
lle
ct
o
r
C
u
rr
en
t(
A
)
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Transfer Characteristics
T
J=-55°C
T
J=25°C
T
J=125°C
0
100
200
300
400
500
600
0123456789
10
VGE, Gate to Emitter Voltage (V)
Ic
,C
o
lle
ct
o
rC
u
rr
en
t(
A
)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Ic=360A
Ic=180A
Ic=90A
0
1
2
3
4
5
6
7
8
6
8
10
12
14
16
VGE, Gate to Emitter Voltage (V)
V
CE
,Co
lle
ct
o
r
to
E
m
it
te
rV
o
lt
ag
e
(
V
)
On state Voltage vs Gate to Emitter Volt.
T
J = 25°C
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Ic=360A
Ic=180A
Ic=90A
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
-50
-25
0
25
50
75
100
125
TJ, Junction Temperature (°C)
V
CE
,C
o
lle
c
to
rt
o
E
m
it
te
r
V
o
lt
ag
e(
V
)
On state Voltage vs Junction Temperature
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
VGE = 15V
0.70
0.80
0.90
1.00
1.10
1.20
-50
-25
0
25
50
75
100 125
TJ, Junction Temperature (°C)
C
o
lle
c
to
rt
o
E
m
it
te
rB
re
ak
dow
n
V
o
lt
a
g
e(
N
o
rm
aliz
e
d
)
Breakdown Voltage vs Junction Temp.
0
50
100
150
200
250
300
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
TC, Case Temperature (°C)
Ic
,
D
C
Co
lle
ct
o
rCu
rr
en
t
(A
)
DC Collector Current vs Case Temperature
Gate Charge
VCE=120V
V
CE =300V
V
CE =480V
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
0
100
200
300
400
500
600
700
Gate Charge (nC)
V
GE
,Ga
te
to
E
m
itte
rV
o
lt
ag
e(
V
)
I
C = 180A
T
J = 25°C
Output Characteristics (VGE=10V)
T
J=-55°C
TJ=25°C
T
J=125°C
0
100
200
300
400
500
600
01
234
Ic
,Co
lle
ct
o
rC
u
rr
e
n
t(
A
)
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGF50DA120T1G 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF50DDA60T3G 65 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF50H120TG 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF50VDA120T3G 70 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT150DA120D1G 220 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGF200A120D3G 功能描述:IGBT MODULE NPT PHASE LEG D3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF200DA120D3G 功能描述:IGBT 1200V 300A 1400W D3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF200SK120D3G 功能描述:IGBT 1200V 300A 1400W D3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF200U120D 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Single Switch with Series diodes NPT IGBT Power Module
APTGF200U120DG 功能描述:IGBT 1200V 275A 1136W SP6 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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