參數(shù)資料
型號(hào)： APTGF165A60D1G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 230 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT PACKAGE-7
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大小： 178K
代理商： APTGF165A60D1G
APTGF165A60D1G
APT
G
F165A60D1G
–
Rev
2
Decem
ber
,2009
www.microsemi.com
1- 4
Absolute maximum ratings
Symbol
Parameter
Max ratings
Unit
VCES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
600
V
TC = 25°C
230
IC
Continuous Collector Current
TC = 80°C
165
ICM
Pulsed Collector Current
TC = 25°C
400
A
VGE
Gate – Emitter Voltage
±20
V
PD
Maximum Power Dissipation
TC = 25°C
781
W
RBSOA Reverse Bias Safe Operating Area
Tj = 125°C
400A@420V
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed. See application note
APT0502 on www.microsemi.com
2
1
3
5
Q2
7
6
Q1
4
VCES = 600V
IC = 165A @ Tc = 80°C
Application
Welding converters
Switched Mode Power Supplies
Uninterruptible Power Supplies
Motor control
Features
Non Punch Through (NPT) FAST IGBT
- Low voltage drop
- Low tail current
- Switching frequency up to 50 kHz
- Soft recovery parallel diodes
- Low diode VF
- Low leakage current
- RBSOA and SCSOA rated
Kelvin emitter for easy drive
High level of integration
M5 power connectors
Benefits
Stable temperature behavior
Very rugged
Direct mounting to heatsink (isolated package)
Low junction to case thermal resistance
Easy paralleling due to positive TC of VCEsat
RoHS Compliant
Phase leg
NPT IGBT Power Module
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGF165DA60D1 230 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF165DA60D1 230 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF165SK60D1G 230 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF180DH60G 220 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF180DH60 220 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGF165DA60D1 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Boost Chopper NPT IGBT Power Module
APTGF165DA60D1G 功能描述:IGBT 600V 230A 730W D1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF165SK60D1 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Buck chopper NPT IGBT Power Module
APTGF165SK60D1G 功能描述:IGBT 600V 230A 730W D1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF180A60D3G 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR
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