參數(shù)資料
型號： APTGF15X60RTP2G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 25 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-24
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 241K
代理商： APTGF15X60RTP2G
APTGF15X60RTP2
APTGF15X60BTP2
A
PT
G
F1
5X
60
B
T
P2
–
R
ev
0
Ju
ly
,2
00
3
APT website – http://www.advancedpower.com
2 - 4
IGBT & Diode Brake (only for APTGF15X60BTP2) Absolute maximum ratings
Symbol
Parameter
Max ratings
Unit
VCES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
600
V
TC = 25°C
20
IC
Continuous Collector Current
TC = 80°C
10
ICM
Pulsed Collector Current
TC = 25°C
25
A
VGE
Gate – Emitter Voltage
±20
V
PD
Maximum Power Dissipation
TC = 25°C
80
W
IF
DC Forward Current
TC = 80°C
10
A
IGBT & Diode Inverter Absolute maximum ratings
Symbol
Parameter
Max ratings
Unit
VCES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
600
V
TC = 25°C
25
IC
Continuous Collector Current
TC = 80°C
15
ICM
Pulsed Collector Current
TC = 25°C
37
A
VGE
Gate – Emitter Voltage
±20
V
PD
Maximum Power Dissipation
TC = 25°C
100
W
SCSOA Short circuit Safe Operating Area
Tj = 125°C
65A @ 360V
IF
DC Forward Current
TC = 80°C
15
IFSM
Surge Forward Current
tp = 1ms
TC = 80°C
30
A
2. Electrical Characteristics
Diodes Rectifier Electrical Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max Unit
IR
Reverse Current
VR = 1600V
Tj = 150°C
2
mA
IF = 30A
Tj = 25°C
1.3
1.5
VF
Forward Voltage
IF = 15A
Tj = 150°C
0.95
1
V
RthJC
Junction to Case
1
°C/W
IGBT Brake & Diode (only for APTGF15X60BTP2) Electrical Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max Unit
Tj = 25°C
0.5
500
A
ICES
Zero Gate Voltage Collector Current
VGE = 0V
VCE = 600V
Tj = 125°C
0.8
mA
Tj = 25°C
1.95
2.35
VCE(on) Collector Emitter on Voltage
VGE = 15V
IC = 10A
Tj = 125°C
2.2
V
VGE(th)
Gate Threshold Voltage
VGE = VCE , IC = 0.35 mA
4.5
5.5
6.5
V
IGES
Gate – Emitter Leakage Current
VGE = 20V, VCE = 0V
300
nA
Cies
Input Capacitance
VGE = 0V, VCE = 25V
f = 1MHz
600
pF
Tj = 25°C
1.25
1.70
VF
Forward Voltage
VGE = 0V
IF = 15A
Tj = 125°C
1.2
V
IGBT
1.5
RthJC
Junction to Case
Diode
1.8
°C/W
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGF15X60BTP2 25 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF15X60BTP2G 25 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF165DA60D1G 230 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF165SK60D1 230 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF165SK60D1 230 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGF165A60D1G 功能描述:IGBT NPT PHASE 600V 230A D1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF165DA60D1 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Boost Chopper NPT IGBT Power Module
APTGF165DA60D1G 功能描述:IGBT 600V 230A 730W D1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF165SK60D1 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Buck chopper NPT IGBT Power Module
APTGF165SK60D1G 功能描述:IGBT 600V 230A 730W D1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*