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參數(shù)資料
| 型號： | APTGF15X120P2 |
| 廠商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 25 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | MODULE-17 |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 244K |
| 代理商： | APTGF15X120P2 |
APTGF15X120E2
APTGF15X120P2
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APT website – http://www.advancedpower.com
3 - 4
Package outline
Pin out: APTGF15X120E2 (Long pins)
ALL DIMENSIONS MARKED " * " ARE TOLERENCED AS :
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGF15X120P2G | 25 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF15X120E2 | 25 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF15X120P2 | 25 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF15X120E2G | 25 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF15X120E2 | 25 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APTGF15X120P2G | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
| APTGF15X120T3G | 功能描述:IGBT MODULE NPT 3PH BRIDGE SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
| APTGF15X60BTP2 | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Input rectifier bridge + Brake + 3 Phase Bridge NPT IGBT Power Module |
| APTGF15X60BTP2G | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
| APTGF15X60RTP2 | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Input rectifier bridge + Brake + 3 Phase Bridge NPT IGBT Power Module |
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