參數(shù)資料
型號(hào)： APTGF15H120T3
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 25 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-25
文件頁(yè)數(shù)： 3/6頁(yè)
文件大?。?/td> 320K
代理商： APTGF15H120T3
APTGF15H120T3
A
P
T
G
F
15
H
120T
3–
R
ev
0
S
ept
em
be
r,
2004
APT website – http://www.advancedpower.com
3 - 6
Temperature sensor NTC
Symbol Characteristic
Min
Typ
Max
Unit
R25
Resistance @ 25°C
68
k
B 25/85
T25 = 298.16 K
4080
K
=
T
B
R
T
1
exp
25
85
/
25
Thermal and package characteristics
Symbol Characteristic
Min
Typ
Max
Unit
IGBT
0.9
RthJC
Junction to Case
Diode
2.0
°C/W
VISOL
RMS Isolation Voltage, any terminal to case t =1 min, I isol<1mA, 50/60Hz
2500
V
TJ
Operating junction temperature range
-40
150
TSTG
Storage Temperature Range
-40
125
TC
Operating Case Temperature
-40
100
°C
Torque Mounting torque
To heatsink
M4
4.7
N.m
Wt
Package Weight
110
g
Package outline
17
12
28
1
T: Thermistor temperature
RT: Thermistor value at T
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGF15X120P2 25 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF15X120P2G 25 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF15X120E2 25 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF15X120P2 25 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF15X120E2G 25 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
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參數(shù)描述
APTGF15H120T3G 功能描述:IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF15X120E2 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:3 Phase bridge NPT IGBT Power Module
APTGF15X120E2G 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR
APTGF15X120P2 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:3 Phase bridge NPT IGBT Power Module
APTGF15X120P2G 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR
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