參數(shù)資料
型號(hào)： APTGF150DH120
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-8
文件頁(yè)數(shù)： 2/5頁(yè)
文件大小： 0K
代理商： APTGF150DH120
APTGF150DH120
A
PT
G
F1
50
D
H
12
0
–
R
ev
1
M
ar
ch
,2
00
4
APT website – http://www.advancedpower.com
2 - 5
All ratings @ Tj = 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max Unit
BVCES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
VGE = 0V, IC = 2mA
1200
V
Tj = 25°C
0.2
3
ICES
Zero Gate Voltage Collector Current
VGE = 0V
VCE = 1200V
Tj = 125°C
12
mA
Tj = 25°C
3.3
3.9
VCE(on) Collector Emitter on Voltage
VGE =15V
IC = 150A
Tj = 125°C
4
V
VGE(th)
Gate Threshold Voltage
VGE = VCE, IC = 5 mA
4.5
6.5
V
IGES
Gate – Emitter Leakage Current
VGE = ±20V, VCE = 0V
±500
nA
Dynamic Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max Unit
Cies
Input Capacitance
10.5
Coes
Output Capacitance
1.5
Cres
Reverse Transfer Capacitance
VGE = 0V
VCE = 25V
f = 1MHz
0.8
nF
Td(on)
Turn-on Delay Time
70
Tr
Rise Time
50
Td(off)
Turn-off Delay Time
500
Tf
Fall Time
30
ns
Eon
Turn-on Switching Energy
8.5
Eoff
Turn-off Switching Energy
Inductive Switching (125°C)
VGE = 15V
VBus = 600V
IC = 150A
RG = 5
9
mJ
Reverse diode ratings and characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max Unit
IF(AV)
Maximum Average Forward Current
50% duty cycle
Tc = 70°C
200
A
IF = 200A
2.0
2.5
IF = 400A
2.3
VF
Diode Forward Voltage
IF = 200A
Tj = 125°C
1.8
V
Tj = 25°C
420
trr
Reverse Recovery Time
IF = 200A
VR = 800V
di/dt =400A/s Tj = 125°C
580
ns
Tj = 25°C
2.5
Qrr
Reverse Recovery Charge
IF = 200A
VR = 800V
di/dt =400A/s Tj = 125°C
10.7
C
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PDF描述
APTGF150DU120T 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
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參數(shù)描述
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