- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄362381 > APT904RGN TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 3.3A I(D) | TO-257ISO PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | APT904RGN |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 3.3A I(D) | TO-257ISO |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 900V五（巴西）直| 3.3AI（四）|對257ISO |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 93K |
| 代理商： | APT904RGN |
Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT9050CFN | TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 900V V(BR)DSS | 24.5A I(D) |
| APT10M25 | Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
| APT10M07JVR | Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
| APT10M25BVFR | Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
| APT10M07 | Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APT9050CFN | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 900V V(BR)DSS | 24.5A I(D) |
| APT90DR160HJ | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:ISOTOP Rectifier diode full bridge Power Module |
| APT90GF100JN | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1KV V(BR)CES | 90A I(C) |
| APT94N60L2C3 | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Super Junction MOSFET |
| APT94N60L2C3G | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 94A TO264 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。