參數(shù)資料
型號： APT8GT60KR
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 16 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 87K
代理商： APT8GT60KR
2SK210
2003-03-27
5
相關PDF資料
PDF描述
APT8GT60KR 16 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB
APT901R3BN 10 A, 900 V, 1.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD
APT901R1BN 10.5 A, 900 V, 1.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD
APT902R4BN 6.5 A, 900 V, 2.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD
APT902RBN 7 A, 900 V, 2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
APT8GT60KRG 功能描述:IGBT 600V 16A 69W TO220 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:Thunderbolt IGBT® 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
APT8M100B 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
APT8M100B_09 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:N-Channel MOSFET
APT8M100S 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:N-Channel MOSFET
APT8M80K 功能描述:MOSFET N-CH 800V 8A TO-220 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:POWER MOS 8™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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