參數(shù)資料
型號(hào)： APT83GU30SG
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類(lèi)： IGBT 晶體管
英文描述： 100 A, 300 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： D2PAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 5/6頁(yè)
文件大小： 90K
代理商： APT83GU30SG
050-7465
Rev
A
2-2004
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
10
30
50
70
90
110
130
250
100
50
10
10,000
1,000
500
100
50
10
350
300
250
200
150
100
50
0
C,
CAPACITANCE
(
P
F)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
F
MAX
,OPERATING
FREQUENCY
(kHz)
VCE, COLLECTOR-TO-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
VCE, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
Figure 17, Capacitance vs Collector-To-Emitter Voltage
Figure 18, Minimim Switching Safe Operating Area
0
10
20
30
40
50
0
50
100
150
200
250
300
350
IC, COLLECTOR CURRENT (A)
Figure 20, Operating Frequency vs Collector Current
TJ = 125°C
TC = 75°C
D = 50 %
VCE = 200V
RG = 5
Cies
Coes
max
max1
max 2
max1
d (on )
r
d(off )
f
diss
cond
max 2
on 2
off
JC
diss
JC
Fmin(f
, f
)
0.05
f
tt
t
PP
f
EE
TT
P
R θ
=
++
+
=
+
=
Cres
FIGURE 19B, TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE MODEL
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0
Note:
Duty Factor D =
t1/t
2
Peak TJ = PDM x ZθJC + TC
t1
t2
P
DM
Z
θJC
,THERMAL
IMPEDANCE
(°C/W)
0.3
0.9
0.7
0.1
0.05
0.5
SINGLE PULSE
RECTANGULARPULSEDURATION(SECONDS)
Figure 19A, Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-To-Case vs Pulse Duration
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1.0
APT83GU30B_S
0.0106
0.0868
0.133
0.00663F
0.0106F
0.262F
Power
(watts)
Junction
temp. ( C)
RC MODEL
Case temperature
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT8GT60KRG 16 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB
APT8GT60KR 16 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB
APT8GT60KR 16 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB
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APT901R1BN 10.5 A, 900 V, 1.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD
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參數(shù)描述
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