參數(shù)資料
型號(hào)： APT80GP60JDF3
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 151 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ISOTOP-4
文件頁數(shù)： 5/9頁
文件大?。?/td> 203K
代理商： APT80GP60JDF3
050-7427
Rev
C
8-2004
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
APT80GP60JDF3
300
2m50
200
150
100
50
0
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
VCE, COLLECTOR-TO-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
VCE, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
Figure 17, Capacitance vs Collector-To-Emitter Voltage
Figure 18, Minimim Switching Safe Operating Area
0
10
20
30
40
50
0
100
200
300
400
500
600
700
20,000
10,000
5,000
1,000
500
100
50
10
Cies
Coes
Cres
FIGURE 19B, TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE MODEL
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0
Note:
Duty Factor D = t1/t2
Peak TJ = PDM x ZθJC + TC
t1
t2
P
DM
Z θ
JC
,THERMAL
IMPEDANCE
(°C/W)
0.3
0.9
0.7
0.1
0.05
0.5
SINGLE PULSE
RECTANGULARPULSEDURATION(SECONDS)
Figure 19A, Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-To-Case vs Pulse Duration
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1.0
0.0260
0.0584
0.185
0.00119F
0.0354F
0.463F
Power
(watts)
Junction
temp (
°C)
RC MODEL
Case temperature(
°C)
max
max1
max 2
max1
d(on)
r
d(off )
f
diss
cond
max 2
on2
off
JC
diss
JC
Fmin(f
, f
)
0.05
f
tt
t
PP
f
EE
TT
P
R
θ
=
++
+
=
+
=
190
100
50
10
1
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110130
IC, COLLECTOR CURRENT (A)
Figure 20, Operating Frequency vs Collector Current
TJ = 125°C
TC = 75°C
D = 50 %
VCE = 400V
RG = 5
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PDF描述
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