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參數(shù)資料
| 型號： | APT80GP60B2G |
| 廠商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | B2, TMAX-3 |
| 文件頁數(shù)： | 4/6頁 |
| 文件大小： | 94K |
| 代理商： | APT80GP60B2G |
050-7425
Rev
B
10-2003
APT80GP60B2
T
J
= 125°C, VGE = 10V or 15V
T
J
= 25°C, VGE = 10V or 15V
V
GE =
15V,TJ=125°C
VGE= 15V
V
GE =
15V,TJ=25°C
T
J
= 25°C, VGE = 10V or 15V
I
CE
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
I
CE
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 9, Turn-On Delay Time vs Collector Current
FIGURE 10, Turn-Off Delay Time vs Collector Current
I
CE
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
I
CE
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 11, Current Rise Time vs Collector Current
FIGURE 12, Current Fall Time vs Collector Current
I
CE
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
I
CE
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 13, Turn-On Energy Loss vs Collector Current
FIGURE 14, Turn Off Energy Loss vs Collector Current
R
G
, GATE RESISTANCE (OHMS)
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
FIGURE 15, Switching Energy Losses vs. Gate Resistance
FIGURE 16, Switching Energy Losses vs Junction Temperature
Eon240A
Eoff80A
Eon280A
Eon2120A
Eoff120A
Eoff40A
Eon240A
Eoff80A
Eon280A
Eon2120A
Eoff120A
Eoff40A
T
J
= 25 or 125°C,VGE = 15V
SWITCHING
ENERGY
LOSSES
(J)
E
ON2
,TURN
ON
ENERGY
LOSS
(J)
t r,
RISE
TIME
(ns)
t d(ON)
,TURN-ON
DELAY
TIME
(ns)
SWITCHING
ENERGY
LOSSES
(J)
E
OFF
,TURN
OFF
ENERGY
LOSS
(J)
t f,
FALL
TIME
(ns)
t d
(OFF)
,TURN-OFF
DELAY
TIME
(ns)
TJ=125°C, VGE=15V
T
J
= 125°C, VGE = 10V or 15V
TJ = 25°C, VGE=15V
VCE = 400V
TJ = 25°C, TJ =125°C
RG = 5
L = 100 H
VCE = 400V
RG = 5
L = 100 H
10
30
50
70
90
110
130
10
30
50
70
90
110
130
10
30
50
70
90
110
130
10
30
50
70
90
110
130
10
30
50
70
90
110
130
10
30
50
70
90
110
130
5
10
15
20
25
30
0
25
50
75
100
125
VCE = 400V
VGE = +15V
RG = 5
40
35
30
25
20
15
10
5
0
70
60
50
40
30
20
10
0
4000
3500
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
6000
5000
4000
3000
2000
1000
0
VCE = 400V
VGE = +15V
T
J = 125°C
VCE = 400V
RG = 5
L = 100 H
VCE = 400V
RG = 5
L = 100 H
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
140
120
100
80
60
40
20
0
4000
3000
2000
1000
0
4000
3000
2000
1000
0
VCE = 400V
RG = 5
L = 100 H
VCE = 400V
RG = 5
L = 100 H
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT80GP60B2 | 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT80GP60JDF3 | 151 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT80GP60J | 151 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT80GP60J | 151 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT81H50L | 81 A, 500 V, 0.07 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APT80GP60J | 功能描述:IGBT 600V 151A 462W SOT227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:POWER MOS 7® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
| APT80GP60JDQ3 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 151A 4-Pin SOT-227 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - PT POWER MOS 7 - COMBI - Rail/Tube |
| APT80M60J | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> FET 系列:POWER MOS 8™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:* |
| APT80M60J_09 | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:N-Channel MOSFET |
| APT80SM120B | 功能描述:POWER MOSFET - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:碳化硅 （SiC） 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:80A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:55 毫歐 @ 40A，20V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:235nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:625W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
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