參數(shù)資料
型號(hào)： APT80GP60B2
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： B2, TMAX-3
文件頁(yè)數(shù)： 6/6頁(yè)
文件大小： 94K
代理商： APT80GP60B2
050-7425
Rev
B
10-2003
APT80GP60B2
Figure 22, Turn-on Switching Waveforms and Definitions
Figure 23, Turn-off Switching Waveforms and Definitions
*DRIVER SAME TYPE AS D.U.T.
IC
VCLAMP
100uH
VTEST
A
B
D.U.T.
DRIVER*
VCE
Figure 24, E
ON1
Test Circuit
T-MAX
(B2) Package Outline
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
4.50 (.177) Max.
19.81 (.780)
20.32 (.800)
20.80 (.819)
21.46 (.845)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
5.45 (.215) BSC
2.87 (.113)
3.12 (.123)
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
2.21 (.087)
2.59 (.102)
0.40 (.016)
0.79 (.031)
Dimensions in Millimeters and (Inches)
2-Plcs.
Collector
Emitter
Gate
Collector
(Cathode)
IC
A
D.U.T.
APT60DF60
VCE
Figure 21, Inductive Switching Test Circuit
CC
APT’s products are covered by one or more of U.S.patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. US and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
T
J = 125
C
Collector Voltage
Gate Voltage
Collector Current
90%
t
d(off)
90%
t
f
10%
0
Switching
Energy
T
J = 125 C
10%
5%
t
d(on)
90%
t
r
5 %
Switching
Energy
Collector Voltage
Collector Current
Gate Voltage
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT80GP60B2G 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APT80GP60B2 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APT80GP60JDF3 151 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APT80GP60J 151 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APT80GP60J 151 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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APT80GP60J 功能描述:IGBT 600V 151A 462W SOT227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:POWER MOS 7® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APT80GP60JDQ3 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 151A 4-Pin SOT-227 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - PT POWER MOS 7 - COMBI - Rail/Tube
APT80M60J 功能描述:MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> FET 系列:POWER MOS 8™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:*
APT80M60J_09 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:N-Channel MOSFET
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