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參數(shù)資料
| 型號： | APT8090HN |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 10.5A I(D) | TO-258ISO |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 800V的五（巴西）直| 10.5AI（四）|對258ISO |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 208K |
| 代理商： | APT8090HN |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT801R4BNR | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 8.5A I(D) | TO-247AD |
| APT802R8KN | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 4.4A I(D) | TO-220 |
| APT806R5GN | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 1.9A I(D) | TO-257AA |
| APT806R5KN | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-220AC |
| APT8075BNR | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-247AD |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APT80F60J | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> FET 系列:POWER MOS 8™ 標準包裝:10 系列:* |
| APT80F60J_11 | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:N-Channel FREDFET |
| APT80GA60B | 功能描述:IGBT 600V 143A 625W TO247 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| APT80GA60LD40 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 143A 3-Pin(3+Tab) TO-264 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - PT POWER MOS 8 - COMBI - Rail/Tube 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:IGBT 600V 143A 625W TO264 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR 制造商:Microsemi 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 143A 3-Pin(3+Tab) TO-264 |
| APT80GA60S | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:High Speed PT IGBT |
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