參數(shù)資料
型號(hào)： APT8056BVR
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： 16 A, 800 V, 0.56 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 61K
代理商： APT8056BVR
Symbol
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Symbol
C
iss
C
oss
C
rss
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Test Conditions
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
f = 1 MHz
V
GS
= 10V
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= I
D[Cont.]
@ 25
°C
V
GS
= 15V
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= I
D[Cont.]
@ 25
°C
R
G
= 1.6
MIN
TYP
MAX
3700
4440
370
515
180
270
185
275
16
24
90
135
12
24
10
20
50
75
10
20
UNIT
pF
nC
ns
APT8056BVR
Characteristic
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Total Gate Charge 3
Gate-Source Charge
Gate-Drain ("Miller ") Charge
Turn-on Delay Time
Rise Time
Turn-off Delay Time
Fall Time
050-5564
Rev
B
Characteristic / Test Conditions
Continuous Source Current (Body Diode)
Pulsed Source Current 1 (Body Diode)
Diode Forward Voltage 2 (V
GS
= 0V, I
S
= -I
D[Cont.]
)
Reverse Recovery Time (I
S
= -I
D[Cont.]
, dl
S
/dt = 100A/
s)
Reverse Recovery Charge (I
S
= -I
D[Cont.]
, dl
S
/dt = 100A/
s)
SOURCE-DRAIN DIODE RATINGS AND CHARACTERISTICS
UNIT
Amps
Volts
ns
C
MIN
TYP
MAX
16
64
1.3
750
11
1 Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction
3 See MIL-STD-750 Method 3471
temperature.
4 Starting Tj = +25°C, L = 10.16mH, RG = 25, Peak IL = 16A
2 Pulse Test: Pulse width < 380
S, Duty Cycle < 2%
APT Reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein.
THERMAL CHARACTERISTICS
Symbol
RθJC
RθJA
MIN
TYP
MAX
0.34
40
UNIT
°C/W
Characteristic
Junction to Case
Junction to Ambient
Z
θJC
,THERMAL
IMPEDANCE
(
°C/W)
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1.0
10
RECTANGULAR PULSE DURATION (SECONDS)
FIGURE 1, MAXIMUM EFFECTIVE TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE, JUNCTION-TO-CASE vs PULSE DURATION
0.4
0.1
0.05
0.01
0.005
0.001
Note:
Duty Factor D =
t1/t
2
Peak TJ = PDM x ZθJC + TC
t1
t2
P
DM
0.1
SINGLE PULSE
0.02
0.05
0.2
D=0.5
0.01
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PDF描述
APT8065BVFRG 13 A, 800 V, 0.65 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD
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APT8065BVR 13 A, 800 V, 0.65 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
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APT8056SVFRG 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER FREDFET - MOS5 - Rail/Tube
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APT8058HVR 制造商:ADPOW 制造商全稱(chēng):Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
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