參數(shù)資料
型號(hào)： APT8014L2LL
元件分類： JFETs
英文描述： 52 A, 800 V, 0.14 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA
封裝： TO-264MAX, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 5/5頁(yè)
文件大小： 87K
代理商： APT8014L2LL
050-7103
Rev
A
12-2003
APT8014L2LL
Typical Performance Curves
Figure 18, Turn-on Switching Waveforms and Definitions
Figure 19, Turn-off Switching Waveforms and Definitions
19.51 (.768)
20.50 (.807)
19.81 (.780)
21.39 (.842)
25.48 (1.003)
26.49 (1.043)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
0.76 (.030)
1.30 (.051)
4.60 (.181)
5.21 (.205)
1.80 (.071)
2.01 (.079)
2.59 (.102)
3.00 (.118)
0.48 (.019)
0.84 (.033)
Drain
Source
Gate
Dimensions in Millimeters and (Inches)
Drain
2.29 (.090)
2.69 (.106)
5.79 (.228)
6.20 (.244)
2.79 (.110)
3.18 (.125)
5.45 (.215) BSC
2-Plcs.
TO-264 MAXTM(L2) Package Outline
APT’s products are covered by one or more of U.S.patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. US and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
IC
D.U.T.
APT30DF60
VCE
Figure 20, Inductive Switching Test Circuit
VDD
G
T
J
= 125 C
Drain Current
Drain Voltage
Gate Voltage
90%
0
10%
90%
t
d(off)
t
f
Switching Energy
10 %
t
d(on)
90%
10 %
5 %
T
J
= 125 C
t
r
Switching Energy
5 %
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT8014L2LL 52 A, 800 V, 0.14 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA
APT8014L2LLG 52 A, 800 V, 0.14 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA
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APT8015JVR 44 A, 800 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT8018L2VRG 43 A, 800 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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參數(shù)描述
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