參數(shù)資料
型號： APT75GT120JR
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： Thunderbolt IGBT
中文描述： IGBT的霹靂
文件頁數(shù)： 1/6頁
文件大?。?/td> 448K
代理商： APT75GT120JR
0
APT75GT120JR
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
MAXIMUM RATINGS
All Ratings: T
C
= 25°C unless otherwise specified.
Symbol
V
CES
V
GE
I
C1
I
C2
I
CM
SSOA
P
D
T
J
,T
STG
T
L
APT75GT120JR
1200
±30
97
42
225
225A @ 1200V
481
-55 to 150
300
UNIT
Volts
Amps
Watts
°C
Parameter
Collector-Emitter Voltage
Gate-Emitter Voltage
Continuous Collector Current @ T
C
= 25°C
Continuous Collector Current @ T
C
= 110°C
Pulsed Collector Current
1
@ T
C
= 150°C
Switching Safe Operating Area @ T
J
= 150°C
Total Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature Range
Max. Lead Temp. for Soldering: 0.063" from Case for 10 Sec.
The Thunderblot
IGBT
is a new generation of high voltage power IGBTs. Using Non- Punch
Through Technology, the Thunderblot
IGBT
offers superior ruggedness and ultrafast
switching speed.
Low Forward Voltage Drop
High Freq. Switching to 20KHz
Low Tail Current
Ultra Low Leakage Current
RBSOA and SCSOA Rated
Thunderbolt IGBT
G
C
E
SOT-227
ISOTOP
file # E145592
"UL Recognized"
G
E
E
C
APT75GT120JR
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Characteristic / Test Conditions
Collector-Emitter Breakdown Voltage (V
GE
= 0V, I
C
= 4mA)
Gate Threshold Voltage (V
CE
= V
GE
, I
C
= 3mA, T
j
= 25°C)
Collector-Emitter On Voltage (V
GE
= 15V, I
C
= 75A, T
j
= 25°C)
Collector-Emitter On Voltage (V
GE
= 15V, I
C
= 75A, T
j
= 125°C)
Collector Cut-off Current (V
CE
= 1200V, V
GE
= 0V, T
j
= 25°C)
2
Collector Cut-off Current (V
CE
= 1200V, V
GE
= 0V, T
j
= 125°C)
2
Gate-Emitter Leakage Current (V
GE
= ±20V)
Intergrated Gate Resistor
Symbol
V
(BR)CES
V
GE(TH)
V
CE(ON)
I
CES
I
GES
R
G(int)
Units
Volts
μA
nA
APT Website - http://www.advancedpower.com
CAUTION:
These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.
MIN
TYP
MAX
1200
4.5
5.5
6.5
2.7
3.2
3.7
3.9
25
TBD
480
5
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT75GT120JU3 ISOTOP Buck chopper Trench IGBT
APT77N60JC3 Super Junction MOSFET
APT8011JFLL Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS.
APT8011 Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS.
APT8011JLL Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS.
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APT75GT120JRDQ3 功能描述:IGBT 1200V 97A 480W SOT227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:Thunderbolt IGBT® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APT75GT120JU2 功能描述:IGBT 1200V 100A 416W SOT227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:Trench + Field Stop IGBT® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APT75GT120JU3 功能描述:POWER MOD IGBT 1200V 100A SOT227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:Trench + Field Stop IGBT® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APT75M50B2 功能描述:MOSFET N-CH 500V 75A T-MAX RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
APT75M50B2_09 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:N-Channel MOSFET
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