參數(shù)資料
型號： APT75GN60LDQ3
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 155 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA
封裝： TO-264, 3 PIN
文件頁數(shù)： 7/9頁
文件大小： 433K
代理商： APT75GN60LDQ3
050-7620
Rev
B
10-2005
APT75GN60LDQ3(G)
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
Characteristic / Test Conditions
Maximum Average Forward Current (T
C = 108°C, Duty Cycle = 0.5)
RMS Forward Current (Square wave, 50% duty)
Non-Repetitive Forward Surge Current (T
J = 45°C, 8.3ms)
Symbol
I
F
(AV)
I
F
(RMS)
I
FSM
Symbol
V
F
Characteristic / Test Conditions
I
F = 75A
Forward Voltage
I
F = 150A
I
F = 75A, TJ = 125°C
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
UNIT
Amps
UNIT
Volts
MIN
TYP
MAX
2.0
2.4
1.7
APT75GN60LDQ3(G)
75
117
600
DYNAMIC CHARACTERISTICS
MAXIMUM RATINGS
All Ratings: T
C = 25°C unless otherwise specied.
ULTRAFAST SOFT RECOVERY ANTI-PARALLEL DIODE
MIN
TYP
MAX
-
29
-
31
-
55
-
4
-
140
-
650
-
9
-
90
-
1300
-
27
UNIT
ns
nC
Amps
ns
nC
Amps
ns
nC
Amps
Characteristic
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Maximum Reverse Recovery Current
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Maximum Reverse Recovery Current
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Maximum Reverse Recovery Current
Symbol
t
rr
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
Test Conditions
I
F = 75A, diF/dt = -200A/s
V
R = 400V, TC = 25°C
I
F = 75A, diF/dt = -200A/s
V
R = 400V, TC = 125°C
I
F = 75A, diF/dt = -1000A/s
V
R = 400V, TC = 125°C
I
F = 1A, diF/dt = -100A/s, VR = 30V, TJ = 25°C
Z
θJC
,THERMAL
IMPEDANCE
(°C/W)
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1.0
RECTANGULAR PULSE DURATION (seconds)
FIGURE 24a. MAXIMUM EFFECTIVE TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE, JUNCTION-TO-CASE vs. PULSE DURATION
0.35
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0
0.5
SINGLE PULSE
0.1
0.3
0.7
0.05
FIGURE 24b, TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE MODEL
Peak TJ = PDM x ZθJC + TC
Duty Factor D =
t1/t2
t2
t1
P
DM
Note:
D = 0.9
0.129
0.211
0.0107
0.120
Power
(watts)
RC MODEL
Junction
temp(°C)
Case temperature(°C)
相關PDF資料
PDF描述
APT75GN60LDQ3G 155 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA
APT75GN60LDQ3 155 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA
APT75GP120JDQ3 128 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APT75GP120JDQ3 128 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APT75GT120JRDQ3 97 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
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參數(shù)描述
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APT75GP120JDQ3 功能描述:IGBT 1200V 128A 543W SOT227 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:POWER MOS 7® 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B
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