參數(shù)資料
型號(hào)： APT75GN120J
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： IGBT
中文描述： IGBT的
文件頁(yè)數(shù)： 3/6頁(yè)
文件大小： 422K
代理商： APT75GN120J
0
APT75GN120J
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
160
V
GE
= 15V
V
G
,
V
C
,
I
C
,
I
C
,
(
I
C
D
V
C
,
V
G
,
I
C
,
250μs PULSE
TEST<0.5 % DUTY
CYCLE
140
120
100
80
60
40
20
0
160
140
120
100
80
60
40
20
0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
0.80
0.75
0.70
0
V
CE
, COLLECTER-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
FIGURE 1, Output Characteristics(T
J
= 25°C)
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
0
V
CE
, COLLECTER-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
FIGURE 2, Output Characteristics (T
J
= 125°C)
2
4
6
8
10
12
14
16
0
2
4
6
8
10
12
14
0
100
200
300
400
500
8
10
12
14
16
-50 -25
0
25
50
75
100 125 150
-50 -25
0
25
50
75
100 125 150
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
160
140
120
100
80
60
40
20
0
16
14
12
10
8
6
4
2
0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
V
GE
, GATE-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
FIGURE 3, Transfer Characteristics
GATE CHARGE (nC)
FIGURE 4, Gate Charge
V
, GATE-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
FIGURE 5, On State Voltage vs Gate-to- Emitter Voltage
T
, Junction Temperature (°C)
FIGURE 6, On State Voltage vs Junction Temperature
T
, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
FIGURE 7, Threshold Voltage vs. Junction Temperature
T
, CASE TEMPERATURE (°C)
FIGURE 8, DC Collector Current vs Case Temperature
13 &15V
11V
10V
9V
12V
8V
7V
V
= 15V.
250μs PULSE TEST
<0.5 % DUTY CYCLE
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= -55°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= -55°C
V
CE
= 960V
V
CE
= 600V
V
CE
= 240V
I
C
= 75A
T
J
= 25°C
T
J
= 25°C.
250μs PULSE TEST
<0.5 % DUTY CYCLE
I
C
= 150A
I
C
= 75A
I
C
= 37.5A
I
C
= 150A
I
C
= 75A
I
C
= 37.5A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT75GN60B IGBT
APT75GN60BG IGBT
APT75GN60LDQ3 IGBT
APT75GN60LDQ3G IGBT
APT75GP120B2 POWER MOS 7 IGBT
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參數(shù)描述
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