- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄364701 > APT6GT60KR TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 13A I(C) | TO-220AB PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | APT6GT60KR |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 13A I(C) | TO-220AB |
| 中文描述： | 晶體管| IGBT的|正陳| 600V的五（巴西）國際消費(fèi)電子展|第13A一（c）| TO - 220AB現(xiàn)有 |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 159K |
| 代理商： | APT6GT60KR |
Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTB1612ESGC-F01 | 1.6X1.25mm BI-COLOR SMD CHIP LED LAMP |
| APTB1612ESGC | 1.6x1.25mm BI-COLOR SMD CHIP LED LAMP |
| APTB1612SGNC-F01 | 1.6x1.25mm BI-COLOR SMD CHIP LED LAMP |
| APTB1612SURKCGKC-F01 | 1.6X1.25mm BI-COLOR SMD CHIP LED LAMP |
| APTB1612SURKQBDC-F01 | 1.6X1.25mm BI-COLOR SMD CHIP LED LAMP |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APT6M100K | 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| APT6M100K_09 | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:N-Channel MOSFET |
| APT-7.5A | 制造商:OPTIFUSE 功能描述: |
| APT702 | 制造商:Pneumatic Components Ltd 功能描述:DIE GRINDER 6MM COLLET |
| APT70GR120B2 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:IGBT 1200V 160A 961W TO247 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。