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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | APT65GP60L2DQ2G |
| 廠商： | Advanced Power Technology Ltd. |
| 英文描述： | POWER MOS 7 IGBT |
| 中文描述： | IGBT的功率MOS 7 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 8/9頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 453K |
| 代理商： | APT65GP60L2DQ2G |
0
APT65GP60L2DQ2
T
J
= 125
°
C
V
R
= 400V
20A
40A
80A
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
25
20
15
10
5
0
Duty cycle = 0.5
T
J
= 175
°
C
Figure 30. Dynamic Parameters vs. Junction Temperature
0
25
50
75
100
125
150
25
50
75
100
125
150
175
1
10
100 200
80
70
60
50
40
30
20
10
0
C
J
,
K
f
,
(
(
μ
s
I
F
(
T
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
Case Temperature (
°
C)
Figure 31. Maximum Average Forward Current vs. CaseTemperature
V
, REVERSE VOLTAGE (V)
Figure 32. Junction Capacitance vs. Reverse Voltage
Figure 26. Forward Current vs. Forward Voltage
V
, ANODE-TO-CATHODE VOLTAGE (V)
-di
/dt, CURRENT RATE OF CHANGE(A/
μ
s)
Figure 27. Reverse Recovery Time vs. Current Rate of Change
Figure 28. Reverse Recovery Charge vs. Current Rate of Change
-di
/dt, CURRENT RATE OF CHANGE (A/
μ
s)
-di
/dt, CURRENT RATE OF CHANGE (A/
μ
s)
Figure 29. Reverse Recovery Current vs. Current Rate of Change
Q
r
,
I
F
,
(
(
I
R
,
t
r
,
(
(
T
J
= 175
°
C
T
J
= -55
°
C
T
J
= 25
°
C
T
J
= 125
°
C
T
J
= 125
°
C
V
R
= 400V
80A
20A
40A
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
200
400
600
800
1000
1200
0
200
400
600
800
1000
1200
0
200
400
600
800
1000
1200
120
100
80
60
40
20
0
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
T
J
= 125
°
C
V
R
= 400V
80A
40A
20A
t
rr
Q
rr
Q
rr
t
rr
I
RRM
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
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