參數(shù)資料
型號： APT65GP60L2DQ2
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 198 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA
封裝： TO-264MAX, 3 PIN
文件頁數(shù)： 7/9頁
文件大?。?/td> 442K
代理商： APT65GP60L2DQ2
050-7454
Rev
A
6-2005
APT65GP60L2DQ2
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
Characteristic / Test Conditions
Maximum Average Forward Current (T
C = 111°C, Duty Cycle = 0.5)
RMS Forward Current (Square wave, 50% duty)
Non-Repetitive Forward Surge Current (T
J = 45°C, 8.3ms)
Symbol
I
F(AV)
I
F(RMS)
I
FSM
Symbol
V
F
Characteristic / Test Conditions
I
F = 65A
Forward Voltage
I
F = 130A
I
F = 65A, TJ = 125°C
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
UNIT
Amps
UNIT
Volts
MIN
TYP
MAX
2.3
2.9
1.4
APT65GP60L2DQ2
40
63
320
DYNAMIC CHARACTERISTICS
MAXIMUM RATINGS
All Ratings: T
C = 25°C unless otherwise specied.
ULTRAFAST SOFT RECOVERY ANTI-PARALLEL DIODE
MIN
TYP
MAX
-
22
-
25
-
35
-
3
-
160
-
480
-
6
-
85
-
920
-
20
UNIT
ns
nC
Amps
ns
nC
Amps
ns
nC
Amps
Characteristic
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Maximum Reverse Recovery Current
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Maximum Reverse Recovery Current
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Maximum Reverse Recovery Current
Symbol
t
rr
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
Test Conditions
I
F = 40A, diF/dt = -200A/s
V
R = 400V, TC = 25°C
I
F = 40A, diF/dt = -200A/s
V
R = 400V, TC = 125°C
I
F = 40A, diF/dt = -1000A/s
V
R = 400V, TC = 125°C
I
F = 1A, diF/dt = -100A/s, VR = 30V, TJ = 25°C
FIGURE 25b, TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE MODEL
Z
θJC
,THERMAL
IMPEDANCE
(°C/W)
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1.0
RECTANGULAR PULSE DURATION (seconds)
FIGURE 25a. MAXIMUM EFFECTIVE TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE, JUNCTION-TO-CASE vs. PULSE DURATION
0.70
0.60
0.50
0.40
0.30
0.20
0.10
0
0.5
SINGLE PULSE
0.1
0.3
0.7
0.9
0.05
Peak TJ = PDM x ZθJC + TC
Duty Factor D =
t1/t2
t2
t1
P
DM
Note:
0.289 °C/W
0.381 °C/W
0.00448 J/°C
0.120 J/°C
Power
(watts)
RC MODEL
Junction
temp(°C)
Case temperature(°C)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT751R4BN 8.5 A, 750 V, 1.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD
APT801R4BN 8.5 A, 800 V, 1.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD
APT801R2BN 9 A, 800 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD
APT751R2BN 9 A, 750 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD
APT752R8BN 5 A, 750 V, 2.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD
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參數(shù)描述
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APT66F60B2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 70A TO-247 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:POWER MOS 8™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
APT66F60L 功能描述:MOSFET N-CH 600V 70A TO-264 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:POWER MOS 8™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
APT66M60B2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
APT66M60B2_09 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:N-Channel MOSFET
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