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參數(shù)資料
| 型號： | APT60M90DN |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | CHIP |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 600V的五（巴西）決策支持系統(tǒng)|芯片 |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 93K |
| 代理商： | APT60M90DN |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT7575DN | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 750V V(BR)DSS | CHIP |
| APT80-101DN | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 12.5A I(D) | CHIP |
| APT802RAN | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 5.5A I(D) | TO-3 |
| APT802RBN | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-247AD |
| APT802RCN | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-254AA |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APT60M90JN | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS |
| APT60N60BCS | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Super Junction MOSFET |
| APT60N60BCSG | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 60A TO-247 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| APT60N60SCS | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Super Junction MOSFET |
| APT60N60SCSG | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 600V 60A 3-Pin(2+Tab) D3PAK 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK |
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