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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | APT6040AN |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 15.5 A, 600 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
| 封裝： | TO-3, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/4頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 209K |
| 代理商： | APT6040AN |
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT5540AN | 15.5 A, 550 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
| APT5545AN | 14.5 A, 550 V, 0.45 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
| APT6045AN | 14.5 A, 600 V, 0.45 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
| APT6040SVFR | 16 A, 600 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APT6040SVFRG | 16 A, 600 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APT6040BN | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MOSFET TRANSISTOR |
| APT6040BNG | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS IV? 包裝:管件 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:18A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:130nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:2950pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:310W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:400 毫歐 @ 9A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247AD 封裝/外殼:TO-247-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 |
| APT6040BNR | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-247AD |
| APT6040BVFR | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS V FREDFET |
| APT6040BVFRG | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 16A TO-247 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:POWER MOS V® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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