參數(shù)資料
型號： APT6030BNR
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 23A I(D) | TO-247AD
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 600V的五（巴西）直|第23A條（丁）|采用TO - 247AD
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 70K
代理商： APT6030BNR
15.49 (.610)
5.38 (.212)
4.50 (.177) Max.
19.81 (.780)
20.80 (.819)
1.65 (.065)
Gate
1.01 (.040)
5.45 (.215) BSC
2-Plcs.
2.87 (.113)
4.69 (.185)
1.49 (.059)
2.21 (.087)
0.40 (.016)
Drain
Source
These dimensions are equal to the TO-247 without the mounting hole.
Dimensions in Millimeters and (Inches)
D
19.51 (.768)
19.81 (.780)
25.48 (1.003)
2.29 (.090)
0.76 (.030)
2.79 (.110)
3.10 (.122)
4.60 (.181)
1.80 (.071)
2.59 (.102)
0.48 (.019)
Drain
Source
Gate
Dimensions in Millimeters and (Inches)
D
2.29 (.090)
5.79 (.228)
5.45 (.215) BSC
2-Plcs.
T-MAX
TM
(B2) Package Outline
TO-264 (L) Package Outline
APT's devices are covered by one or more of the following U.S.patents: 4,895,810
5,045,903
4,748,103
5,089,434
5,283,202
5,182,234
5,231,474
5,019,522
5,434,095
5,262,336
5,528,058
5,256,583
0
APT6010 B2FLL - LFLL
V
, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 10, MAXIMUM SAFE OPERATING AREA
16
V
, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 11, CAPACITANCE vs DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE
200
Q
g
, TOTAL GATE CHARGE (nC)
V
, SOURCE-TO-DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 13, SOURCE-DRAIN DIODE FORWARD VOLTAGE
FIGURE 12, GATE CHARGES vs GATE-TO-SOURCE VOLTAGE
V
G
,
I
D
,
I
D
,
C
30,000
10,000
1,000
100
10
100
10
1
1
10
100
500
.01
.1
1
10
50
0
50
100
150
200
250
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
TC =+25°C
TJ =+150°C
SINGLE PULSE
OPERATION HERE
LIMITED BY R
DS
(ON)
10mS
1mS
100μS
Crss
Coss
Ciss
VDS=250V
VDS=100V
VDS=400V
I
D
= I
D
[Cont.]
TJ =+150°C
TJ =+25°C
216
100
10
1
12
8
4
0
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT6030HJN TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)DSS | 23A I(D)
APT6030SN TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 23A I(D) | TO-263AB
APT6033BNR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 23A I(D) | TO-247AD
APT6039BNR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 17A I(D) | TO-247AD
APT6039SNR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 17A I(D) | TO-263AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APT6030BVFR 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
APT6030BVFR_05 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
APT6030BVFRG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 21A TO-247 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:POWER MOS V® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
APT6030BVR 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247
APT6030BVR_04 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
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