參數(shù)資料
型號: APT50M65B2LL
廠商: Advanced Power Technology Ltd.
英文描述: Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS.
中文描述: 電源MOS 7TM是一個低損耗,高電壓,N溝道增強型功率MOSFET的新一代。
文件頁數(shù): 3/4頁
文件大?。?/td> 230K
代理商: APT50M65B2LL
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT5513B2FLL Volts:550V RDS(ON)0.13Ohms ID(cont):41Amps|FREDFETs ( fast body diode)
APT5513JFLL Volts:550V RDS(ON)0.13Ohms ID(cont):35Amps|FREDFETs ( fast body diode)
APT5513LFLL Volts:550V RDS(ON)0.13Ohms ID(cont):41Amps|FREDFETs ( fast body diode)
APT5514FN TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 550V V(BR)DSS | 43A I(D) | F-PACK SIP
APT5517AFN TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 550V V(BR)DSS | 39A I(D)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APT50M65B2LL_04 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 R MOSFET
APT50M65B2LLG 功能描述:MOSFET N-CH 500V 67A T-MAX RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:POWER MOS 7® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
APT50M65JFLL 功能描述:MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> FET 系列:POWER MOS 7® 標準包裝:10 系列:*
APT50M65JFLL_03 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 R FREDFET
APT50M65JLL 功能描述:MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> FET 系列:POWER MOS 7® 標準包裝:10 系列:*