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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | APT50M60DN |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | CHIP |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 500V五（巴西）決策支持系統(tǒng)|芯片 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/2頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 93K |
| 代理商： | APT50M60DN |
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| APT55-101DN | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 550V V(BR)DSS | 17.5A I(D) | CHIP |
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| APT5560DN | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 550V V(BR)DSS | CHIP |
| APT6014DN | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 43A I(D) | CHIP |
| APT601R2CN | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 6.5A I(D) | TO-254AA |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| APT50M60JN | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述: |
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| APT50M60JVR | 功能描述:MOSFET N-CH 500V 63A SOT-227 RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> FET 系列:POWER MOS V® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:* |
| APT50M60L2VFR | 制造商:ADPOW 制造商全稱(chēng):Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
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