參數(shù)資料
型號(hào)： APT50GP60B2DQ2G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類(lèi)： IGBT 晶體管
英文描述： 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, TMAX-3
文件頁(yè)數(shù)： 5/9頁(yè)
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代理商： APT50GP60B2DQ2G
050-7495
Rev
A
11-2005
APT50GP60B2DQ2(G)
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
0.20
0.16
0.12
0.08
0.04
0
Z
θJC
,THERMAL
IMPEDANCE
(°C/W)
0.3
0.7
SINGLE PULSE
RECTANGULAR PULSE DURATION (SECONDS)
Figure 19a, Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-To-Case vs Pulse Duration
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1.0
10,000
1,000
500
100
50
10
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
C,
CAPACITANCE
(
P
F)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
V
CE, COLLECTOR-TO-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
V
CE, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
Figure 17, Capacitance vs Collector-To-Emitter Voltage
Figure 18,Minimim Switching Safe Operating Area
0
10
20
30
40
50
0
100
200 300
400 500
600
700
FIGURE 19b, TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE MODEL
10 20 30 40 50
60 70 80 90 100
F
MAX
,OPERATING
FREQUENCY
(kHz)
I
C, COLLECTOR CURRENT (A)
Figure 20, Operating Frequency vs Collector Current
TJ = 125°C
TC = 75°C
D = 50 %
VCE = 667V
RG = 5
220
100
50
10
C
ies
C
oes
C
res
0.5
0.1
0.05
F
max
= min (f
max, fmax2)
0.05
f
max1 = t
d(on) + tr + td(off) + tf
P
diss - Pcond
E
on2 + Eoff
f
max2 =
P
diss =
T
J - TC
RθJC
Peak TJ = PDM x ZθJC + TC
Duty Factor D =
t1/t2
t2
t1
P
DM
Note:
0.00908
0.0193
0.0658
0.00463
0.00218
0.0142
Power
(watts)
Junction
temp. (°C)
RC MODEL
0.0658
0.0142
Case temperature. (°C)
D = 0.9
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT50GP60B2DQ2 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APT50GP60B 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
APT50GP60BG 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
APT50GP60S 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APT50GP60SG 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
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參數(shù)描述
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