參數(shù)資料
型號(hào): APT50GP60B2DQ2
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝: TMAX-3
文件頁(yè)數(shù): 6/9頁(yè)
文件大?。?/td> 0K
代理商: APT50GP60B2DQ2
050-7495
Rev
A
11-2005
APT50GP60B2DQ2(G)
Figure 22, Turn-on Switching Waveforms and Denitions
Figure 23, Turn-off Switching Waveforms and Denitions
APT40DQ60
IC
A
D.U.T.
VCE
Figure 21, Inductive Switching Test Circuit
VCC
Collector Current
Collector Voltage
Switching Energy
5 %
10%
Gate Voltage
10%
td(on)
5%
tr
90%
T
J = 125 °C
90%
Gate Voltage
Collector Voltage
Collector Current
0
tf
90%
10%
t
d(off)
Switching Energy
T
J = 125 °C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT50GP60B2DQ2G 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APT50GP60B2DQ2 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APT50GP60B 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
APT50GP60BG 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
APT50GP60S 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APT50GP60B2DQ2G 功能描述:IGBT 600V 150A 625W TMAX RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:POWER MOS 7® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開):3V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
APT50GP60BG 功能描述:IGBT 600V 100A 625W TO247 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:POWER MOS 7® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開):3V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
APT50GP60J 功能描述:IGBT 600V 100A 329W SOT227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:POWER MOS 7® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APT50GP60JDQ2 功能描述:IGBT 600V 100A 329W SOT227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:POWER MOS 7® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APT50GP60LDL 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Resonant Mode Combi IGBT