參數(shù)資料
型號(hào)： APT50GF60JCU2
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 70 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, ISOTOP-4
文件頁(yè)數(shù)： 5/6頁(yè)
文件大?。?/td> 214K
代理商： APT50GF60JCU2
APT50GF60JCU2
APT
50GF60JCU2
–
Rev
0
September
,2009
www.microsemi.com
5- 6
VGE = 15V
20
30
40
50
60
0
25
50
75
100
125
150
ICE, Collector to Emitter Current (A)
td
(o
n)
,T
u
rn
-O
n
D
e
la
y
Ti
m
e
(
n
s
)
Turn-On Delay Time vs Collector Current
Tj = 125°C
VCE = 400V
RG = 2.7
VGE=15V,
TJ=25°C
VGE=15V,
TJ=125°C
50
75
100
125
150
175
0
25
50
75
100
125
150
ICE, Collector to Emitter Current (A)
td(off
),
Turn-
O
ff
De
la
y
Tim
e
(ns)
Turn-Off Delay Time vs Collector Current
VCE = 400V
RG = 2.7
VGE=15V,
TJ=125°C
0
10
20
30
40
50
60
0
25
50
75
100
125
150
ICE, Collector to Emitter Current (A)
tr
,
R
ise
T
im
e
(
n
s)
Current Rise Time vs Collector Current
VCE = 400V
RG = 2.7
TJ = 25°C
TJ = 125°C
0
10
20
30
40
50
60
0
25
50
75
100
125
150
ICE, Collector to Emitter Current (A)
tf
,F
a
ll
T
ime
(n
s
)
Current Fall Time vs Collector Current
VCE = 400V, VGE = 15V, RG = 2.7
TJ=125°C,
VGE=15V
0
0.25
0.5
0.75
1
1.25
1.5
0
25
50
75
100
125
150
ICE, Collector to Emitter Current (A)
E
on
,T
u
rn
-O
n
E
n
erg
y
Lo
ss
(
m
J)
Turn-On Energy Loss vs Collector Current
VCE = 400V
RG = 2.7
TJ = 125°C
0
0.5
1
1.5
2
2.5
0
255075
100
125
150
ICE, Collector to Emitter Current (A)
E
off
,T
u
rn
-o
ff
En
ergy
L
o
ss
(mJ)
Turn-Off Energy Loss vs Collector Current
VCE = 400V
VGE = 15V
RG = 2.7
Eon, 50A
Eoff, 50A
0
0.25
0.5
0.75
1
1.25
1.5
0
5
10
15
20
25
Gate Resistance (Ohms)
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
S
w
it
c
h
in
g
En
e
rgy
L
o
sses
(
m
J)
VCE = 400V
VGE = 15V
TJ= 125°C
0
20
40
60
80
100
120
0
200
400
600
I C
,
C
o
lle
c
tor
Cu
rr
e
nt
(A
)
Reverse Bias Safe Operating Area
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT50GP60JDQ2 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APT50GP60JDQ2 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APT50GP90B 100 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
APT60GF60JU2 93 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APT75GN120J 124 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APT50GF60JU2 功能描述:IGBT 600V 75A 277W SOT227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APT50GF60JU3 功能描述:IGBT 600V 75A 277W SOT227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APT50GF60LRD 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:The Fast IGBT⑩ is a new generation of high voltage power IGBTs.
APT50GL60BN 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 50A I(C) | TO-247
APT50GLQ65JU2 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 配置:升壓斬波器 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:80A 功率 - 最大值:220W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.3V @ 15V，50A 電流 - 集電極截止（最大值）:50μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:3.1nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*